Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
ARF1501
  • В избранное
  • В сравнение
ARF1501

ARF1501

ARF1501
;
ARF1501

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    ARF1501
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1Все характеристики

Минимальная цена ARF1501 при покупке от 1 шт 57479.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ARF1501 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ARF1501

ARF1501 Microchip Technology MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET RF N-канальный
    • Номинальное напряжение блокировки: 1000В
    • Номинальный ток: 30А
    • Степень интеграции: T1 (трехслойная структура)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы при высоких напряжениях
    • Высокий коэффициент передачи (VSW)
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкость использования в компактных устройствах
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения специальных условий для предотвращения повреждений при работе с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах и радиоэлектронных устройствах
    • Работа в качестве ключа в цифровых и аналоговых схемах
    • Применение в системах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Системы беспроводной связи
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Автомобильные системы навигации и связи
    • Профессиональное оборудование для радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики ARF1501

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    27.12MHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    250 V
  • Current Rating (Amps)
    30A
  • Мощность передачи
    750W
  • Нормальное напряжение
    1000 V
  • Корпус
    T-1
  • Исполнение корпуса
    T-1
  • Base Product Number
    ARF1501

Техническая документация

 ARF1501.pdf
pdf. 0 kb
  • 60 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    57 479 ₽
  • 10
    57 173 ₽
  • 25
    53 794 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    ARF1501
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1Все характеристики

Минимальная цена ARF1501 при покупке от 1 шт 57479.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ARF1501 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ARF1501

ARF1501 Microchip Technology MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET RF N-канальный
    • Номинальное напряжение блокировки: 1000В
    • Номинальный ток: 30А
    • Степень интеграции: T1 (трехслойная структура)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы при высоких напряжениях
    • Высокий коэффициент передачи (VSW)
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкость использования в компактных устройствах
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Необходимость соблюдения специальных условий для предотвращения повреждений при работе с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах и радиоэлектронных устройствах
    • Работа в качестве ключа в цифровых и аналоговых схемах
    • Применение в системах управления мощностью
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Системы беспроводной связи
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Автомобильные системы навигации и связи
    • Профессиональное оборудование для радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики ARF1501

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    27.12MHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    250 V
  • Current Rating (Amps)
    30A
  • Мощность передачи
    750W
  • Нормальное напряжение
    1000 V
  • Корпус
    T-1
  • Исполнение корпуса
    T-1
  • Base Product Number
    ARF1501

Техническая документация

 ARF1501.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    260 601Кешбэк 39 090 баллов
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    60Кешбэк 9 баллов
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    2 108Кешбэк 316 баллов
    AFT27S006NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
    3 993Кешбэк 598 баллов
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    5 438Кешбэк 815 баллов
    AFT20S015GNR1Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
    6 230Кешбэк 934 балла
    MRFE6VP61K25HR6Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    76 165Кешбэк 11 424 балла
    NE3512S02-T1C-AТранзистор: HJ-FET NCH 13.5DB S02
    194Кешбэк 29 баллов
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    244Кешбэк 36 баллов
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 195Кешбэк 179 баллов
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    15 658Кешбэк 2 348 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    19 414Кешбэк 2 912 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    24 710Кешбэк 3 706 баллов
    CGH55015F2Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    29 808Кешбэк 4 471 балл
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    60 916Кешбэк 9 137 баллов
    CGHV40100FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    71 913Кешбэк 10 786 баллов
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    108 170Кешбэк 16 225 баллов
    CGH40180PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    153 378Кешбэк 23 006 баллов
    CGHV59350FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    467 357Кешбэк 70 103 балла
    MRF174Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    13 682Кешбэк 2 052 балла
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    647Кешбэк 97 баллов
    2N4340JFET N-CH 50V TO18
    3 000Кешбэк 450 баллов
    MWT-773Транзистор: FET RF 5V 26GHZ PKG 73
    11 622Кешбэк 1 743 балла
    MMBFJ211Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    133Кешбэк 19 баллов
    2N5485Транзистор: T-JFET N CHANNEL
    181Кешбэк 27 баллов
    MRF136Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    9 368Кешбэк 1 405 баллов
    MRF158Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 305A-01
    10 771Кешбэк 1 615 баллов
    MRF134Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    11 449Кешбэк 1 717 баллов
    MRF137Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    13 450Кешбэк 2 017 баллов
    MRF173Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    13 680Кешбэк 2 052 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП