Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
ART35FEU
  • В избранное
  • В сравнение
ART35FEU

ART35FEU

ART35FEU
;
ART35FEU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    ART35FEU
  • Описание:
    Транзистор: ART35FE/SOT467/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена ART35FEU при покупке от 1 шт 17496.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ART35FEU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ART35FEU

ART35FEU Ampleon USA Inc. Транзистор: ART35FE/SOT467/TRAY

  • Основные параметры:
    • Номинальная мощность: 35 Вт
    • Номинальный ток: 2 А
    • Максимальное напряжение: 50 В
    • Технология: GaN (Гейнмерс)
    • Форм-фактор: SOT467
    • Упаковка: Tray
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малый размер
    • Высокая надежность
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Требует специализированной технологии производства
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных приборах
    • Средства связи
    • Коммуникационные системы
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Беспроводные устройства
    • Автомобильные мультимедийные системы
    • Инверторы для домашнего использования
    • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики ART35FEU

  • Package
    Tray
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1MHz ~ 650MHz
  • Усиление
    31dB
  • Тестовое напряжение
    65 V
  • Current Rating (Amps)
    1.2µA
  • Тестовый ток
    20 mA
  • Мощность передачи
    35W
  • Нормальное напряжение
    200 V
  • Корпус
    SOT-467C
  • Исполнение корпуса
    SOT467C
  • Base Product Number
    ART35

Техническая документация

 ART35FEU.pdf
pdf. 0 kb
  • 150 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    17 496 ₽
  • 20
    14 052 ₽
  • 40
    13 590 ₽
  • 100
    13 102 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    ART35FEU
  • Описание:
    Транзистор: ART35FE/SOT467/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена ART35FEU при покупке от 1 шт 17496.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ART35FEU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ART35FEU

ART35FEU Ampleon USA Inc. Транзистор: ART35FE/SOT467/TRAY

  • Основные параметры:
    • Номинальная мощность: 35 Вт
    • Номинальный ток: 2 А
    • Максимальное напряжение: 50 В
    • Технология: GaN (Гейнмерс)
    • Форм-фактор: SOT467
    • Упаковка: Tray
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность
    • Малый размер
    • Высокая надежность
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Требует специализированной технологии производства
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных приборах
    • Средства связи
    • Коммуникационные системы
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Беспроводные устройства
    • Автомобильные мультимедийные системы
    • Инверторы для домашнего использования
    • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики ART35FEU

  • Package
    Tray
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1MHz ~ 650MHz
  • Усиление
    31dB
  • Тестовое напряжение
    65 V
  • Current Rating (Amps)
    1.2µA
  • Тестовый ток
    20 mA
  • Мощность передачи
    35W
  • Нормальное напряжение
    200 V
  • Корпус
    SOT-467C
  • Исполнение корпуса
    SOT467C
  • Base Product Number
    ART35

Техническая документация

 ART35FEU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PTVA123501FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-2
    68 423Кешбэк 10 263 балла
    GTVA311801FA-V1-R250Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    72 451Кешбэк 10 867 баллов
    GTVA311801FA-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    83 436Кешбэк 12 515 баллов
    CG2H40120FТранзистор: 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2
    91 965Кешбэк 13 794 балла
    PTVA127002EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    102 391Кешбэк 15 358 баллов
    PTVA104501EH-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-33288-2
    107 034Кешбэк 16 055 баллов
    PTVA101K02EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    158 648Кешбэк 23 797 баллов
    GTVA107001EC-V1-R0Транзистор: 700W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET
    246 420Кешбэк 36 963 балла
    GTVA101K42EV-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
    389 786Кешбэк 58 467 баллов
    BF2040E6814HTSA1Транзистор: RF MOSFET N-CH 5V SOT143-4
    44Кешбэк 6 баллов
    TAV2-501+Транзистор: SMT LOW NOISE AMPLIFIER, 400 - 3
    2 644Кешбэк 396 баллов
    TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
    2 644Кешбэк 396 баллов
    TAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 907Кешбэк 436 баллов
    TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 907Кешбэк 436 баллов
    TAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 913Кешбэк 436 баллов
    SAV-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V SC70-4
    3 175Кешбэк 476 баллов
    TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
    3 175Кешбэк 476 баллов
    SAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    3 491Кешбэк 523 балла
    SAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    3 491Кешбэк 523 балла
    SAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    3 491Кешбэк 523 балла
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    49 470Кешбэк 7 420 баллов
    IGN0912LM500Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    163 897Кешбэк 24 584 балла
    IGN2729M400R2Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
    165 672Кешбэк 24 850 баллов
    CPH3313-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    19.2Кешбэк 2 балла
    MCH6306-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    19.2Кешбэк 2 балла
    CPH6335-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    19.2Кешбэк 2 балла
    MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    19.2Кешбэк 2 балла
    CPH6413-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    23Кешбэк 3 балла
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    23Кешбэк 3 балла
    MCH6422-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    27Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП