Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
ATP201-TL-H
ATP201-TL-H

ATP201-TL-H

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    ATP201-TL-H
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A ATPAKВсе характеристики

Минимальная цена ATP201-TL-H при покупке от 586 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ATP201-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ATP201-TL-H

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 18A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    ATPAK
  • Корпус
    ATPAK (2 leads+tab)
  • Base Product Number
    ATP201
Техническая документация
 ATP201-TL-H.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 15000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 586
    96 ₽

Минимально и кратно 586 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    ATP201-TL-H
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A ATPAKВсе характеристики

Минимальная цена ATP201-TL-H при покупке от 586 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ATP201-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ATP201-TL-H

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 18A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    ATPAK
  • Корпус
    ATPAK (2 leads+tab)
  • Base Product Number
    ATP201
Техническая документация
 ATP201-TL-H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CPH3455-TL-WMOSFET N-CH 35V 3A 3CPH
    34Кешбэк 5 баллов
    NTD78N03-1GMOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
    60Кешбэк 9 баллов
    NTJS4151PT1GMOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
    62Кешбэк 9 баллов
    HAT2165N-EL-EMOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK
    368Кешбэк 55 баллов
    PMPB10XNEZMOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
    111Кешбэк 16 баллов
    IPF13N03LA GMOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
    90Кешбэк 13 баллов
    STD18N65M5MOSFET N-CH 650V 15A DPAK
    655Кешбэк 98 баллов
    RTU002P02T106MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3
    113Кешбэк 16 баллов
    NTLJS1102PTAGMOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN
    56Кешбэк 8 баллов
    CSD13383F4MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
    92Кешбэк 13 баллов
    2N7002KWТранзистор: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
    24.4Кешбэк 3 балла
    2SJ168TE85LFMOSFET P-CH 60V 200MA SC59
    212Кешбэк 31 балл
    SI7655ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
    244Кешбэк 36 баллов
    NTHS5402T1MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
    58Кешбэк 8 баллов
    IPW60R125CP25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
    1 063Кешбэк 159 баллов
    IRFD224PBFMOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
    336Кешбэк 50 баллов
    CSD17312Q5MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
    563Кешбэк 84 балла
    FQPF9N90CTMOSFET N-CH 900V 8A TO220F
    849Кешбэк 127 баллов
    STL20N6F7MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
    274Кешбэк 41 балл
    IPI80N04S4L04AKSA1MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
    105Кешбэк 15 баллов
    FDN342PMOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
    169Кешбэк 25 баллов
    IRLIZ44GPBFMOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
    644Кешбэк 96 баллов
    PMZB370UNE,315EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30
    9.4Кешбэк 1 балл
    FDD6688MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
    182Кешбэк 27 баллов
    FCH165N60EMOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
    811Кешбэк 121 балл
    IRFS4615TRLPBFMOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
    176Кешбэк 26 баллов
    PMT760EN,115MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
    13.1Кешбэк 1 балл
    IXFH60N65X2MOSFET N-CH 650V 60A TO247
    2 159Кешбэк 323 балла
    VN2450N3-GMOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3
    272Кешбэк 40 баллов
    NP33N06YDG-E1-AY
    355Кешбэк 53 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП