Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
ATP201-TL-H
ATP201-TL-H

ATP201-TL-H

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    ATP201-TL-H
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A ATPAKВсе характеристики

Минимальная цена ATP201-TL-H при покупке от 586 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ATP201-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ATP201-TL-H

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 18A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    ATPAK
  • Корпус
    ATPAK (2 leads+tab)
  • Base Product Number
    ATP201
Техническая документация
 ATP201-TL-H.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 15000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 586
    96 ₽

Минимально и кратно 586 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    ATP201-TL-H
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 35A ATPAKВсе характеристики

Минимальная цена ATP201-TL-H при покупке от 586 шт 96.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ATP201-TL-H с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ATP201-TL-H

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 18A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    30W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    ATPAK
  • Корпус
    ATPAK (2 leads+tab)
  • Base Product Number
    ATP201
Техническая документация
 ATP201-TL-H.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIS890DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
    247Кешбэк 37 баллов
    DMN601K-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
    32.5Кешбэк 4 балла
    IPP040N06N3GXKSA1MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
    450Кешбэк 67 баллов
    BUK9Y43-60E,115MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56
    140Кешбэк 21 балл
    DMP2240UWQ-7MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323
    106Кешбэк 15 баллов
    IRFS9N60ATRLPBFMOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
    673Кешбэк 100 баллов
    TN5325N3-GMOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
    141Кешбэк 21 балл
    IXTT6N120MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
    2 737Кешбэк 410 баллов
    IRFD320MOSFET N-CH 400V 490MA 4HVMDIP
    347Кешбэк 52 балла
    BSC886N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
    134Кешбэк 20 баллов
    C3M0065090J-TRТранзистор: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
    4 241Кешбэк 636 баллов
    C3M0280090J-TRSICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
    1 904Кешбэк 285 баллов
    PSMN015-60BS,118MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
    319Кешбэк 47 баллов
    FCPF2250N80ZMOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
    226Кешбэк 33 балла
    IRFP90N20DPBFMOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
    1 287Кешбэк 193 балла
    IPP50R199CPXKSA1MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
    565Кешбэк 84 балла
    BUK95150-55A,127MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB
    62Кешбэк 9 баллов
    HUF76407D3STN-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
    151Кешбэк 22 балла
    NTMFS5C430NLT3GMOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
    812Кешбэк 121 балл
    BSP296NH6433XTMA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
    181Кешбэк 27 баллов
    IPP072N10N3GXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
    496Кешбэк 74 балла
    MCH6336-TL-HMOSFET P-CH 12V 5A 6MCPH
    38Кешбэк 5 баллов
    IRFB9N60APBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
    337Кешбэк 50 баллов
    FDS6670AMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
    81Кешбэк 12 баллов
    CSD19535KTTMOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
    967Кешбэк 145 баллов
    STP55NF06LТранзистор: MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
    364Кешбэк 54 балла
    IRLB4132PBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    290Кешбэк 43 балла
    STD70N6F3MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
    526Кешбэк 78 баллов
    IRFS4410TRLPBFMOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
    893Кешбэк 133 балла
    FDD5N50NZTMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
    249Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП