Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BAP70-04W,115

BAP70-04W,115

BAP70-04W,115
;
BAP70-04W,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена BAP70-04W,115 при покупке от 1400 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAP70-04W,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAP70-04W,115

BAP70-04W, 115 NXP Semiconductors RF DIODE PIN 50V 260MW SOT323-3

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Максимальная мощность: 260МВт
    • Тип: RF диод
    • Комплектация: SOT323-3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными диодами
    • Требует специфического дизайна и проектирования для использования
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Для улучшения чувствительности и усиления сигналов
    • В телевизионных приемниках
    • В системах спутниковой связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые телевизионные приемники
    • Профессиональные радиостанции
    • Мобильные радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Радиоприемники
Выбрано: Показать

Характеристики BAP70-04W,115

Техническая документация

BAP70-04W,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 999477 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 1400 шт
  • Количество
    Цена
  • 1400
    39 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена BAP70-04W,115 при покупке от 1400 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAP70-04W,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAP70-04W,115

BAP70-04W, 115 NXP Semiconductors RF DIODE PIN 50V 260MW SOT323-3

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Максимальная мощность: 260МВт
    • Тип: RF диод
    • Комплектация: SOT323-3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными диодами
    • Требует специфического дизайна и проектирования для использования
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Для улучшения чувствительности и усиления сигналов
    • В телевизионных приемниках
    • В системах спутниковой связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковые телевизионные приемники
    • Профессиональные радиостанции
    • Мобильные радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Радиоприемники
Выбрано: Показать

Характеристики BAP70-04W,115

Техническая документация

BAP70-04W,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 1400 шт