Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные диоды
BAP70AM,115
  • В избранное
  • В сравнение
BAP70AM,115

BAP70AM,115

BAP70AM,115
;
BAP70AM,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BAP70AM,115
  • Описание:
    RF DIODE PIN 50V 300MW 6TSSOPВсе характеристики

Минимальная цена BAP70AM,115 при покупке от 1 шт 92.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAP70AM,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAP70AM,115

BAP70AM, 115 NXP USA Inc. RF DIODE PIN 50V 300MW 6TSSOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Максимальная мощность: 300МВт
    • Форм-фактор: 6TSSOP (шестищипчатый корпус)
    • Тип: радиочастотный диод
  • Плюсы:
    • Высокая мощность обработки сигнала
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер корпуса для эффективного использования пространства
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на максимальной мощности
    • Требуется точное согласование с другими компонентами системы
  • Общее назначение:
    • Используется для усиления радиочастотных сигналов
    • Подходит для систем передачи данных на большие расстояния
    • Применяется в мобильных устройствах, базовых станциях и других системах связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Базовые станции мобильной связи
    • Радиостанции и системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы связи и навигации
Выбрано: Показать

Характеристики BAP70AM,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    PIN - 2 Pair Series
  • Обратное Напряжение (Макс)
    50V
  • Максимальный ток
    100 mA
  • Емкость @ Vr, F
    0.25pF @ 20V, 1MHz
  • Сопротивление @ If, F
    1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300 mW
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    6-TSSOP
  • Base Product Number
    BAP70

Техническая документация

 BAP70AM,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 2613 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    92 ₽
  • 25
    58 ₽
  • 250
    47 ₽
  • 1000
    43 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BAP70AM,115
  • Описание:
    RF DIODE PIN 50V 300MW 6TSSOPВсе характеристики

Минимальная цена BAP70AM,115 при покупке от 1 шт 92.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAP70AM,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAP70AM,115

BAP70AM, 115 NXP USA Inc. RF DIODE PIN 50V 300MW 6TSSOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Максимальная мощность: 300МВт
    • Форм-фактор: 6TSSOP (шестищипчатый корпус)
    • Тип: радиочастотный диод
  • Плюсы:
    • Высокая мощность обработки сигнала
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер корпуса для эффективного использования пространства
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на максимальной мощности
    • Требуется точное согласование с другими компонентами системы
  • Общее назначение:
    • Используется для усиления радиочастотных сигналов
    • Подходит для систем передачи данных на большие расстояния
    • Применяется в мобильных устройствах, базовых станциях и других системах связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Базовые станции мобильной связи
    • Радиостанции и системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы связи и навигации
Выбрано: Показать

Характеристики BAP70AM,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    PIN - 2 Pair Series
  • Обратное Напряжение (Макс)
    50V
  • Максимальный ток
    100 mA
  • Емкость @ Vr, F
    0.25pF @ 20V, 1MHz
  • Сопротивление @ If, F
    1.9Ohm @ 100mA, 100MHz
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300 mW
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    6-TSSOP
  • Base Product Number
    BAP70

Техническая документация

 BAP70AM,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAP64-03,115Диод: RF DIODE PIN 175V 500MW SOD323
    39Кешбэк 5 баллов
    BAP70-02,115Диод: RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523
    48Кешбэк 7 баллов
    BA891,115Диод: DIODE STANDARD 35V 715MW SOD523
    24Кешбэк 3 балла
    BAP64-02,115Диод: RF DIODE PIN 175V 715MW SOD523
    53Кешбэк 7 баллов
    BAP64Q,125Диод: RF DIODE PIN 100V 125MW 5TSOP
    191Кешбэк 28 баллов
    DAN235ETLRF DIODE STANDARD 35V 150MW EMD3
    39Кешбэк 5 баллов
    RN731VTE-17Диод: RF DIODE PIN 50V 100MW UMD2
    44Кешбэк 6 баллов
    RN779DT146RF DIODE PIN 50V SMD3
    63Кешбэк 9 баллов
    RN779FT106Диод: RF DIODE PIN 50V UMD3
    63Кешбэк 9 баллов
    1SS356TW11RF DIODE STANDARD 35V 200MW UMD2
    66Кешбэк 9 баллов
    RN771VTE-17Диод: RF DIODE PIN 50V UMD2
    48Кешбэк 7 баллов
    DAN235UT106RF DIODE STANDARD 35V 150MW UMD3
    42Кешбэк 6 баллов
    DAP236UT106Диод: RF DIODE STANDARD 35V 150MW UMD3
    51Кешбэк 7 баллов
    1SV307(TPH3,F)RF DIODE STANDARD 30V USC
    66Кешбэк 9 баллов
    BA679S-GS08RF DIODE PIN 30V SOD80 MINIMELF
    118Кешбэк 17 баллов
    BAT17,235RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB
    79Кешбэк 11 баллов
    PMBD354,215Диод: RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB
    107Кешбэк 16 баллов
    BAT17,215Диод: RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB
    45Кешбэк 6 баллов
    BAP65-02,115Диод: RF DIODE PIN 30V 715MW SOD523
    67Кешбэк 10 баллов
    BAP50-03-TPДиод: RF DIODE PIN 50V 200MW SOD323
    19.7Кешбэк 2 балла
    BAP64-05W-TPДиод: RF DIODE PIN 175V 200MW SOT323
    29.4Кешбэк 4 балла
    BA479G-TRRF DIODE PIN 30V DO35
    121Кешбэк 18 баллов
    BAP64-05-TPRF DIODE PIN 175V 250MW SOT23
    81Кешбэк 12 баллов
    BAP51-02-TPДиод: RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523
    29.4Кешбэк 4 балла
    JDV2S10FS(TPL3)RF DIODE STANDARD 10V FSC
    46Кешбэк 6 баллов
    MA4P1250-1072TRF DIODE PIN 100V 6W
    1 302Кешбэк 195 баллов
    MA4P7455-1225TДиод: RF DIODE PIN SOT25
    441Кешбэк 66 баллов
    MA4E20541-1141TДиод: RF DIODE SCHOTTKY 3V SOD323
    329Кешбэк 49 баллов
    MADP-000235-10720TRF DIODE PIN 35V 7.5W
    1 488Кешбэк 223 балла
    MA4E2502L-1246RF DIODE SCHOTTKY 5V 50MW DIE
    675Кешбэк 101 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП