BAR6702VH6327XTSA1

BAR6702VH6327XTSA1 Infineon Technologies RF DIODE

• Номинальное напряжение: 150В
• Максимальная мощность: 250МВт
• Пакет: SC79-2

Основные параметры:

• Тип: PIN диод
• Применение: радиочастотные (RF) системы
• Номинальная рабочая температура: до +150°C

Плюсы:

• Высокая мощность
• Устойчивость к высоким напряжениям
• Долговечность
• Эффективность при работе в радиочастотном диапазоне

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с менее мощными компонентами
• Требует специального охлаждения при работе на полной мощности
• Уязвимость к механическим повреждениям из-за чувствительности к ударным нагрузкам

Общее назначение:

• Используется в радиочастотных системах, таких как передающие усилители, релейные системы связи, спутниковые системы и другие устройства, требующие высокой мощности на радиочастоте

В каких устройствах применяется:

• Спутниковые транспондеры
• Мобильные базовые станции
• Телевизионные трансляционные станции
• Радиоуправляемые системы
• Системы радиопозиционирования