Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Сборки
BAS101,215
  • В избранное
  • В сравнение
BAS101,215

BAS101,215

BAS101,215
;
BAS101,215

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    BAS101,215
  • Описание:
    Диод: DIODE GP 300V 200MA TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена BAS101,215 при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS101,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS101,215

BAS101,215 Nexperia Диод: DIODE GP 300V 200MA TO236AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 300В
    • Номинальный ток: 200mA
    • Форма корпуса: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к перегреву
    • Долговечность
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Средний ток пропускания
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контроль тока в цепях
    • Распределение тока в параллельных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Питание электронных устройств
    • Переносные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BAS101,215

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    300 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    150 nA @ 250 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C (Max)

Техническая документация

 BAS101,215.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 50
    38 ₽
  • 500
    19 ₽
  • 3000
    14 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    BAS101,215
  • Описание:
    Диод: DIODE GP 300V 200MA TO236ABВсе характеристики

Минимальная цена BAS101,215 при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS101,215 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS101,215

BAS101,215 Nexperia Диод: DIODE GP 300V 200MA TO236AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 300В
    • Номинальный ток: 200mA
    • Форма корпуса: TO236AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к перегреву
    • Долговечность
    • Малый размер корпуса
  • Минусы:
    • Средний ток пропускания
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контроль тока в цепях
    • Распределение тока в параллельных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Питание электронных устройств
    • Переносные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BAS101,215

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    300 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    150 nA @ 250 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    TO-236AB
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C (Max)

Техническая документация

 BAS101,215.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBD2836LT1GDIODE ARRAY GP 75V 100MA SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    BAT54CWT1DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
    18.5Кешбэк 2 балла
    SM1MA142WKT1GДиод: DIODE SWITCHING 70V SC70
    18.5Кешбэк 2 балла
    M1MA151WKT1GDIODE ARRAY GP 40V 100MA SC59
    18.5Кешбэк 2 балла
    M1MA141WAT1GDIODE ARRAY GP 40V 100MA SC70-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    BAW56TT1GДиод: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SC75
    18.5Кешбэк 2 балла
    SMMBD7000LT1GДиод: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD7000LT3GDIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
    18.5Кешбэк 2 балла
    NSDEMN11XV6T5DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563
    18.5Кешбэк 2 балла
    SBAV99LT3GДиод: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
    18.5Кешбэк 2 балла
    BAV70TT1GДиод: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SC75
    18.5Кешбэк 2 балла
    BAV70LT3GДиод: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
    18.5Кешбэк 2 балла
    SBAV70LT3GДиод: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
    18.5Кешбэк 2 балла
    BAS40-04LT1GДиод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3
    20.4Кешбэк 3 балла
    SBAW56LT3GДиод: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23
    20.4Кешбэк 3 балла
    SBAV70LT1GДиод: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
    20.4Кешбэк 3 балла
    SBAW56LT1GДиод: DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23
    20.4Кешбэк 3 балла
    DAP222GDIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
    20.4Кешбэк 3 балла
    BAV99LT3GДиод: DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
    22Кешбэк 3 балла
    BAV199LT1GДиод: DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    FC903-TR-EDIODE ARRAY GP 80V 100MA 6TCP
    22.2Кешбэк 3 балла
    SS1003EJ-TRRECTIFIER DIODE
    22.2Кешбэк 3 балла
    M1MA152WKT1GDIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
    22.2Кешбэк 3 балла
    SBAT54ALT1GДиод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    M1MA142WAT1GДиод: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    M1MA151WAT1GDIODE ARRAY GP 40V 100MA SC59
    22.2Кешбэк 3 балла
    NSVBAV70TT1GDIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
    24Кешбэк 3 балла
    SBAV199LT3GДиод: DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23-3
    24Кешбэк 3 балла
    NSVBAV23CLT1GDIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
    24Кешбэк 3 балла
    M1MA142WKT1GДиод: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70-3
    24Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП