Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
BAS16HLP-7
  • В избранное
  • В сравнение
BAS16HLP-7

BAS16HLP-7

BAS16HLP-7
;
BAS16HLP-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BAS16HLP-7
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFNВсе характеристики

Минимальная цена BAS16HLP-7 при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS16HLP-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS16HLP-7

BAS16HLP-7 Diodes Incorporated Диод: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 100В
    • Номинальный ток прямого тока (IДН) - 215mA
    • Пакет - 2DFN
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение
    • Компактный размер (2DFN пакет)
    • Устойчивость к обратному току
  • Минусы:
    • Точная мощность может быть ниже при высоких частотах
    • Необходимо соблюдать ограничения по теплу
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Регулировка напряжения
    • Переключение токов низкой мощности
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Электронные часы
    • Промышленное оборудование
    • Игровые консоли
Выбрано: Показать

Характеристики BAS16HLP-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    215mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 150 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 80 V
  • Емкость @ Vr, F
    1.5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    0402 (1006 Metric)
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1006-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAS16

Техническая документация

 BAS16HLP-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 29334 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 100
    23 ₽
  • 1000
    15 ₽
  • 6000
    13 ₽
  • 15000
    7.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BAS16HLP-7
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFNВсе характеристики

Минимальная цена BAS16HLP-7 при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS16HLP-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS16HLP-7

BAS16HLP-7 Diodes Incorporated Диод: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 100В
    • Номинальный ток прямого тока (IДН) - 215mA
    • Пакет - 2DFN
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение
    • Компактный размер (2DFN пакет)
    • Устойчивость к обратному току
  • Минусы:
    • Точная мощность может быть ниже при высоких частотах
    • Необходимо соблюдать ограничения по теплу
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Регулировка напряжения
    • Переключение токов низкой мощности
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Электронные часы
    • Промышленное оборудование
    • Игровые консоли
Выбрано: Показать

Характеристики BAS16HLP-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    215mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 150 mA
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 80 V
  • Емкость @ Vr, F
    1.5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    0402 (1006 Metric)
  • Исполнение корпуса
    X1-DFN1006-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAS16

Техническая документация

 BAS16HLP-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-70HFLR100S05DIODE GEN PURP 1KV 70A DO203AB
    2 142Кешбэк 321 балл
    VS-42HFR80DIODE GEN PURP 800V 40A DO203AB
    1 501Кешбэк 225 баллов
    VS-72HF80DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB
    2 133Кешбэк 319 баллов
    VS-1N1183R
    1 120Кешбэк 168 баллов
    VS-1N3624DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA
    1 147Кешбэк 172 балла
    VS-VSKEU300/12PBFDIODE GP 1.2KV 375A INTAPAK
    11 022Кешбэк 1 653 балла
    VS-150UR100DДиод: DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205
    8 117Кешбэк 1 217 баллов
    VS-95PF160DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO203AB
    1 934Кешбэк 290 баллов
    U1D-E3/5ATДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    219Кешбэк 32 балла
    BYG22A-E3/TRDIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
    77Кешбэк 11 баллов
    SSA34HE3_A/IDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
    85Кешбэк 12 баллов
    B360A-M3/61TDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
    25.7Кешбэк 3 балла
    1N4004-E3/53Диод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    46Кешбэк 6 баллов
    SSA34-E3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
    24Кешбэк 3 балла
    MURS160HE3_A/HДиод: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
    35Кешбэк 5 баллов
    SSA34HE3_A/HДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
    48Кешбэк 7 баллов
    ESH2PDHM3/84ADIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA
    101Кешбэк 15 баллов
    B340A-E3/5ATDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC
    81Кешбэк 12 баллов
    BYS11-90-E3/TRДиод: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
    31Кешбэк 4 балла
    SA2K-E3/5ATДиод: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AC
    51Кешбэк 7 баллов
    MSE1PJ-M3/89ADIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
    25.7Кешбэк 3 балла
    VSSB410S-E3/52TДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
    35Кешбэк 5 баллов
    BYG20G-E3/TRДиод: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
    61Кешбэк 9 баллов
    SS2FH10HM3/HДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB
    31Кешбэк 4 балла
    SS13-E3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO214AC
    25.7Кешбэк 3 балла
    BYV26DGP-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
    92Кешбэк 13 баллов
    BYG22D-E3/TR3DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
    39Кешбэк 5 баллов
    GL41A-E3/96DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
    83Кешбэк 12 баллов
    SS2PH10-M3/85AДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO220AA
    83Кешбэк 12 баллов
    S4PK-M3/86AДиод: DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A
    63Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП