Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
BAS21M3T5G
  • В избранное
  • В сравнение
BAS21M3T5G

BAS21M3T5G

BAS21M3T5G
;
BAS21M3T5G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BAS21M3T5G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723Все характеристики

Минимальная цена BAS21M3T5G при покупке от 1 шт 30.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS21M3T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS21M3T5G

BAS21M3T5G от ON Semiconductor — это диод, предназначенный для широкого спектра приложений.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 250 В
    • Номинальный ток прямого тока (IDO) - 200 мА
    • Тип корпуса - SOT723
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер корпуса
    • Высокая скорость срабатывания
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Ограниченная способность передачи тепла
    • Высокие потери при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Передача сигналов
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Компьютеры и периферия
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BAS21M3T5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    250 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 200 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    SOT-723
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAS21

Техническая документация

 BAS21M3T5G.pdf
pdf. 0 kb
  • 15694 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    30.4 ₽
  • 100
    17.2 ₽
  • 1000
    11 ₽
  • 8000
    5.9 ₽
  • 24000
    5.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BAS21M3T5G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723Все характеристики

Минимальная цена BAS21M3T5G при покупке от 1 шт 30.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS21M3T5G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS21M3T5G

BAS21M3T5G от ON Semiconductor — это диод, предназначенный для широкого спектра приложений.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 250 В
    • Номинальный ток прямого тока (IDO) - 200 мА
    • Тип корпуса - SOT723
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер корпуса
    • Высокая скорость срабатывания
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Ограниченная способность передачи тепла
    • Высокие потери при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Передача сигналов
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Компьютеры и периферия
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BAS21M3T5G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    250 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 200 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    SOT-723
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    BAS21

Техническая документация

 BAS21M3T5G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DS135ADDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    28.5Кешбэк 4 балла
    NSR0320MW2T3GDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
    28.5Кешбэк 4 балла
    1N4002RLGДиод: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
    28.5Кешбэк 4 балла
    NSVBAS21AHT1GДиод: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323
    28.5Кешбэк 4 балла
    1N4007FFGДиод: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO41
    28.5Кешбэк 4 балла
    US1DFADIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FA
    28.5Кешбэк 4 балла
    NSR05F40QNXT5GDIODE SCHOTTKY 40V 500MA 2DSN
    28.5Кешбэк 4 балла
    RB751S40T5GDIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
    28.5Кешбэк 4 балла
    NRVB0530T1GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
    28.6Кешбэк 4 балла
    BAY72TRDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
    29Кешбэк 4 балла
    NSR0130P2T5GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD923
    29Кешбэк 4 балла
    1N5400RLGДиод: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
    29Кешбэк 4 балла
    1N4936RLGДиод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
    29.4Кешбэк 4 балла
    MURS205T3GDIODE GEN PURP 50V 2A SMB
    30.4Кешбэк 4 балла
    NRVA4007T3GDIODE GEN PURP 1000V 1A SMA
    30.4Кешбэк 4 балла
    BAS21M3T5GDIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
    30.4Кешбэк 4 балла
    SMMDL6050T1GДиод: DIODE GEN PURP 70V 200MA SOD323
    30.4Кешбэк 4 балла
    SMMSD914T1GDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    30.4Кешбэк 4 балла
    US2BARECTIFIER DIODE, 1.5A, 100V, DO-
    30.4Кешбэк 4 балла
    SMMSD914T3GDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    30.4Кешбэк 4 балла
    MUR120RLGДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
    31Кешбэк 4 балла
    1N4003RLGДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
    32Кешбэк 4 балла
    1N4006RLGДиод: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
    32Кешбэк 4 балла
    NSRLL30XV2T1GDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
    32Кешбэк 4 балла
    NSVBAT54M3T5GDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723
    32Кешбэк 4 балла
    NSVRB751V40T1GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323
    32Кешбэк 4 балла
    NSVBAS21M3T5GDIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723
    32Кешбэк 4 балла
    RS1DFARECTIFIER DIODE, 0.8A, 200V
    32Кешбэк 4 балла
    NSR0620P2T5GДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD923
    32Кешбэк 4 балла
    1N4935RLGDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
    32Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП