Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
BAS21S_R1_00001
  • В избранное
  • В сравнение
BAS21S_R1_00001

BAS21S_R1_00001

BAS21S_R1_00001
;
BAS21S_R1_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    BAS21S_R1_00001
  • Описание:
    SOT-23, SWITCHINGВсе характеристики

Минимальная цена BAS21S_R1_00001 при покупке от 1 шт 165.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS21S_R1_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS21S_R1_00001

BAS21S_R1_00001 Panjit International Inc. SOT-23, SWITCHING — это полупроводниковый транзистор, используемый для включения и выключения электрического тока. Он принадлежит к семейству MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) и предназначен для работы в режиме свича.

  • Основные параметры:
    • Vds(max): максимальное напряжение между дреном и сифтом, равное 45 В.
    • Rds(on): сопротивление при нахождении в режиме свича, составляет около 1.8 Ω.
    • Ids(max): максимальный ток дrena, равен 4 А.
    • Ciss: емкость между сифтом и дреном, составляет около 700 нФ.
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения.
    • Низкое сопротивление в режиме свича.
    • Малые размеры благодаря использованию технологии SOT-23.
    • Высокая надежность и долгий срок службы.
  • Минусы:
    • Высокие потери энергии при высоких значениях тока.
    • Требуется дополнительная защита от перегрева.
    • Невозможность использования при очень высоких частотах из-за емкости.
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах.
    • Контроль электрических цепей.
    • Переключение и регулировка напряжения.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем.
    • Электронных игрушках.
    • Инверторах и преобразователях.
    • Пультах дистанционного управления.
    • Беспроводных устройствах.
Выбрано: Показать

Характеристики BAS21S_R1_00001

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Конфигурация диода
    1 Pair Series Connection
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    250 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 BAS21S_R1_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 4804 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    165 ₽
  • 100
    67 ₽
  • 1000
    46 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    BAS21S_R1_00001
  • Описание:
    SOT-23, SWITCHINGВсе характеристики

Минимальная цена BAS21S_R1_00001 при покупке от 1 шт 165.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS21S_R1_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS21S_R1_00001

BAS21S_R1_00001 Panjit International Inc. SOT-23, SWITCHING — это полупроводниковый транзистор, используемый для включения и выключения электрического тока. Он принадлежит к семейству MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) и предназначен для работы в режиме свича.

  • Основные параметры:
    • Vds(max): максимальное напряжение между дреном и сифтом, равное 45 В.
    • Rds(on): сопротивление при нахождении в режиме свича, составляет около 1.8 Ω.
    • Ids(max): максимальный ток дrena, равен 4 А.
    • Ciss: емкость между сифтом и дреном, составляет около 700 нФ.
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения.
    • Низкое сопротивление в режиме свича.
    • Малые размеры благодаря использованию технологии SOT-23.
    • Высокая надежность и долгий срок службы.
  • Минусы:
    • Высокие потери энергии при высоких значениях тока.
    • Требуется дополнительная защита от перегрева.
    • Невозможность использования при очень высоких частотах из-за емкости.
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах.
    • Контроль электрических цепей.
    • Переключение и регулировка напряжения.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем.
    • Электронных игрушках.
    • Инверторах и преобразователях.
    • Пультах дистанционного управления.
    • Беспроводных устройствах.
Выбрано: Показать

Характеристики BAS21S_R1_00001

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Конфигурация диода
    1 Pair Series Connection
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    250 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 BAS21S_R1_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    V60D60CHM3/I60A 60V SMPD TRENCH SKY RECT
    480Кешбэк 72 балла
    V40DM60CHM3/IDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO263AC
    504Кешбэк 75 баллов
    V60D45CHM3_A/IDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO263AC
    515Кешбэк 77 баллов
    VS-30CTH02STRLHM3FREDS - D2PAK
    537Кешбэк 80 баллов
    V60DM100CHM3/IDIODE ARRAY SCHOTT 100V TO263AC
    563Кешбэк 84 балла
    V60DM45CHM3/IDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO263AC
    563Кешбэк 84 балла
    VS-63CTQ100-M3DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
    567Кешбэк 85 баллов
    VS-30CTH02STRRHM3FREDS - D2PAK
    621Кешбэк 93 балла
    VS-30CTH02SHM3DIODE ARRAY GP 200V 15A TO263
    621Кешбэк 93 балла
    VT6045CBP-M3/4WDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
    626Кешбэк 93 балла
    VS-C5PH6012L-N360A, 1200V, "X" SERIES FRED PT I
    965Кешбэк 144 балла
    VS-RA160FA120DIODE MODULE 1200V 91A SOT227
    4 522Кешбэк 678 баллов
    VS-QA250FA20DIODE MOD SCHOT 200V 250A SOT227
    5 100Кешбэк 765 баллов
    286-826AND-MOD LIGHT GRAY
    35 082Кешбэк 5 262 балла
    WNS20H100CQДиод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
    111Кешбэк 16 баллов
    WNS20S100CQДиод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
    141Кешбэк 21 балл
    WNS40100CQДиод: POWER SCHOTTKY DIODES
    146Кешбэк 21 балл
    BYV410X-600PQДиод: ULTRAFAST POWER DIODE
    176Кешбэк 26 баллов
    WNS20S100CBJДиод: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
    176Кешбэк 26 баллов
    WN3S20H100CQDUAL COMMON CATHODE POWER SCHOTT
    202Кешбэк 30 баллов
    WNS20H100CBJДиод: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
    203Кешбэк 30 баллов
    WNS40H100CQДиод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
    211Кешбэк 31 балл
    WNS30H100CQДиод: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220E
    256Кешбэк 38 баллов
    WNS30H100CBJДиод: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
    301Кешбэк 45 баллов
    BYV32EX-300PQДиод: DUAL ULTRAFAST POWER DIODE
    311Кешбэк 46 баллов
    WNS40H100CBJДиод: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
    391Кешбэк 58 баллов
    BYV430W-600PQДиод: ULTRAFAST POWER DIODE
    474Кешбэк 71 балл
    WNSC2D20650CWQДиод: DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
    701Кешбэк 105 баллов
    WNSC2D16650CWQДиод: DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
    743Кешбэк 111 баллов
    WNSC16650CWQДиод: SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
    938Кешбэк 140 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП