Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
BAS385-TR
  • В избранное
  • В сравнение
BAS385-TR

BAS385-TR

BAS385-TR
;
BAS385-TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    BAS385-TR
  • Описание:
    Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MICMELFВсе характеристики

Минимальная цена BAS385-TR при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS385-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS385-TR

BAS385-TR VISHAY Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MICMELF

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 30В
    • Потребляемая токовая способность: 200мА
    • Форм-фактор: микрочип (MICMELF)
  • Плюсы:
    • Низкое напряжение срабатывания, что обеспечивает быстрое включение и выключение
    • Высокая частота работы
    • Малый размер и легкость установки
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Высокие требования к качеству контактов при монтаже
    • Высокая чувствительность к перегреву
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Защита от обратного тока
    • Компенсация разности потенциалов
    • Уменьшение искажений сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы питания и управления
    • Мобильные устройства и гаджеты
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Микросхемы и логические устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BAS385-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    30 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    800 mV @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2.3 µA @ 25 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    MicroMELF
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Base Product Number
    BAS385

Техническая документация

 BAS385-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 10018 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 50
    25 ₽
  • 500
    13.3 ₽
  • 5000
    10.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    BAS385-TR
  • Описание:
    Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MICMELFВсе характеристики

Минимальная цена BAS385-TR при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BAS385-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BAS385-TR

BAS385-TR VISHAY Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MICMELF

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 30В
    • Потребляемая токовая способность: 200мА
    • Форм-фактор: микрочип (MICMELF)
  • Плюсы:
    • Низкое напряжение срабатывания, что обеспечивает быстрое включение и выключение
    • Высокая частота работы
    • Малый размер и легкость установки
    • Низкий ток утечки
  • Минусы:
    • Высокие требования к качеству контактов при монтаже
    • Высокая чувствительность к перегреву
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Защита от обратного тока
    • Компенсация разности потенциалов
    • Уменьшение искажений сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы питания и управления
    • Мобильные устройства и гаджеты
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Микросхемы и логические устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BAS385-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    30 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    800 mV @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    2.3 µA @ 25 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    2-SMD, No Lead
  • Исполнение корпуса
    MicroMELF
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Base Product Number
    BAS385

Техническая документация

 BAS385-TR.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ES2A-E3/52TДиод: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA
    64Кешбэк 9 баллов
    US1D-E3/61TДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    64Кешбэк 9 баллов
    EGF1T-E3/67AДиод: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
    64Кешбэк 9 баллов
    1N5401-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
    64Кешбэк 9 баллов
    LL101A-GS08Диод: DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80
    65Кешбэк 9 баллов
    BYS12-90-E3/TRДиод: DIODE SCHOTTKY 90V 1.5A DO214AC
    65Кешбэк 9 баллов
    MURS120-E3/52TДиод: DIODE GP 200V 1A DO214AA
    66Кешбэк 9 баллов
    VS-10BQ040-M3/5BTДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB
    67Кешбэк 10 баллов
    SS14-E3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
    67Кешбэк 10 баллов
    BYX82TRDIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
    67Кешбэк 10 баллов
    BYM10-1000-E3/96Диод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
    67Кешбэк 10 баллов
    SE15PJ-M3/84AДиод: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO220AA
    67Кешбэк 10 баллов
    BYM11-400-E3/96Диод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
    67Кешбэк 10 баллов
    1N5402-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    67Кешбэк 10 баллов
    BYV26C-TRДиод: DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57
    67Кешбэк 10 баллов
    S3B-E3/57TДиод: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
    67Кешбэк 10 баллов
    SS26-E3/5BTДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AA
    68Кешбэк 10 баллов
    MURS160-E3/52TДиод: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
    68Кешбэк 10 баллов
    ES2B-E3/52TДиод: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
    68Кешбэк 10 баллов
    SS3H9-E3/57TДиод: DIODE SCHOTTKY 90V 3A DO214AB
    68Кешбэк 10 баллов
    EGL34G-E3/98Диод: DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-10MQ100-M3/5ATДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-10MQ060HM3/5ATДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
    69Кешбэк 10 баллов
    ES2G-E3/52TДиод: DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
    69Кешбэк 10 баллов
    S07M-M-08Диод: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
    69Кешбэк 10 баллов
    ES2D-E3/52TДиод: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
    69Кешбэк 10 баллов
    ES1C-E3/61TДиод: DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
    69Кешбэк 10 баллов
    BYM13-40-E3/96Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB
    69Кешбэк 10 баллов
    BAS385-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MICMELF
    70Кешбэк 10 баллов
    BA159GP-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    70Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП