Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
BASH21LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
BASH21LT1G

BASH21LT1G

BASH21LT1G
;
BASH21LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BASH21LT1G
  • Описание:
    HIGH VOLT DIODEВсе характеристики

Минимальная цена BASH21LT1G при покупке от 1 шт 44.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BASH21LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BASH21LT1G

BASH21LT1G onsemi HIGH VOLT DIODE

  • Основные параметры:
    • Номинальный обратный ток: 21 А
    • Номинальное напряжение: 1000 В
    • Максимальная рабочая температура: +150 °C
    • Тип диода: высоковольтный
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение
    • Высокий номинальный обратный ток
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Эффективность в различных приложениях
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными диодами
    • Необходимо учитывать тепловые факторы при использовании
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Обеспечение одностороннего проводимости тока
    • Изоляция блоков питания
    • Фильтрация шумов в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электропитание и преобразование энергии
    • Радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BASH21LT1G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    250 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 200 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    BASH21

Техническая документация

 BASH21LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 5870 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    44 ₽
  • 100
    24 ₽
  • 1000
    16 ₽
  • 6000
    9.3 ₽
  • 15000
    8.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BASH21LT1G
  • Описание:
    HIGH VOLT DIODEВсе характеристики

Минимальная цена BASH21LT1G при покупке от 1 шт 44.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BASH21LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BASH21LT1G

BASH21LT1G onsemi HIGH VOLT DIODE

  • Основные параметры:
    • Номинальный обратный ток: 21 А
    • Номинальное напряжение: 1000 В
    • Максимальная рабочая температура: +150 °C
    • Тип диода: высоковольтный
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение
    • Высокий номинальный обратный ток
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Эффективность в различных приложениях
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными диодами
    • Необходимо учитывать тепловые факторы при использовании
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Обеспечение одностороннего проводимости тока
    • Изоляция блоков питания
    • Фильтрация шумов в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электропитание и преобразование энергии
    • Радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BASH21LT1G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    250 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 200 V
  • Емкость @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    BASH21

Техническая документация

 BASH21LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVBAS16W1T1GSS SC88 SWITCHING DIODE
    38Кешбэк 5 баллов
    NRVUA120VT3GDIODE GEN PURP 200V 2A SMA
    38Кешбэк 5 баллов
    NSR02100HT1GDIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323
    40Кешбэк 6 баллов
    SMBT1230LT1GSS SOT23 GP XSTR SPCL TR
    40Кешбэк 6 баллов
    BASH21LT1GHIGH VOLT DIODE
    44Кешбэк 6 баллов
    SBT150-10JSRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
    44Кешбэк 6 баллов
    NSVRB521S30T5GSCHOTTKY DIODE SOD523
    46Кешбэк 6 баллов
    NSR0240MX2WT5GDIODE SCHOTTKY 40V XDFN2
    46Кешбэк 6 баллов
    SBRD8320G-VF01DIODE SCHOTTKY 20V 3A DPAK
    46Кешбэк 6 баллов
    SBRS8190T3G-VF01DIODE SCHOTTKY 90V 1A SMB
    47.5Кешбэк 7 баллов
    NSVBAWH56WT1G70V ANODE SWITCH DIODE
    47.5Кешбэк 7 баллов
    SBR100-10JS-CHC11SHTKY TO220ML 10A 100V
    49Кешбэк 7 баллов
    MMBD1401ALT1GDIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
    51Кешбэк 7 баллов
    NSR05T30P2T5GTRENCH SCHOTTKY
    53Кешбэк 7 баллов
    BAS40P2T5GDIODE SCHOTTKY 40V SOD-923
    55Кешбэк 8 баллов
    SS3003CH-TL-EDIODE SCHOTTKY 30V 3A 6CPH
    57Кешбэк 8 баллов
    NRVS1GFLGENERAL PURP RECTIFIER
    57Кешбэк 8 баллов
    NSVBASH20LT1GDIODE SWITCHING 250V SOT-23-3
    57Кешбэк 8 баллов
    NSR0240MX2T5GDIODE SCHOTTKY 40V XDFN2
    57Кешбэк 8 баллов
    MUR480ESRECTIFIER DIODE
    59Кешбэк 8 баллов
    NSVBASH19LT1GDIODE SWITCHING 250V SOT-23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    NRVBA120ENT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA2
    65Кешбэк 9 баллов
    NRVBS230LNT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 2A 30V SMB2
    66Кешбэк 9 баллов
    SURA8205T3G-VF01DIODE GEN PURP 50V 2A SMA
    68Кешбэк 10 баллов
    NSR05T404MX2T5GDIODE SCHOTTKY 40V 500MA X2DFN2
    70Кешбэк 10 баллов
    SBRS8140NT3GDIODE SCHOTTKY 40V 1A 1202-SMB2
    72Кешбэк 10 баллов
    NRVUS360VDBT3GDIODE GEN PURP 600V 3A SMB
    74Кешбэк 11 баллов
    NRVS1AFLGENERAL PURP RECTIFIER
    74Кешбэк 11 баллов
    NRVS1MFLGENERAL PURP RECTIFIER
    74Кешбэк 11 баллов
    NRVHPRS1MFASR SOD123FA PN 0.8A 1000V
    74Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП