Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
BC847PN
  • В избранное
  • В сравнение
BC847PN

BC847PN

BC847PN
;
BC847PN

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    BC847PN
  • Описание:
    Транзистор: BJT SOT-363 45V 100MAВсе характеристики

Минимальная цена BC847PN при покупке от 1 шт 39.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BC847PN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BC847PN

BC847PN DIOTEC SEMICONDUCTOR Транзистор: BJT SOT-363 45В 100mA

  • Основные параметры:
    • Тип: BJT (Биполярный транзистор)
    • Номинальное напряжениеCollector-Emitter (VCEO): 45В
    • Номинальный ток Collector (IC): 100mA
    • Форм-фактор: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий уровень шумов при работе
    • Удобство монтажа благодаря компактному размеру
  • Минусы:
    • Относительно высокое значение напряжения на коллекторе
    • Требует дополнительного охлаждения для работы при больших токах
  • Общее назначение:
    • Усиление сигнала
    • Переключение нагрузки
    • Диодное действие
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Иllumination systems (системы освещения)
    • Производственное оборудование
    • Электронные часы и цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BC847PN

  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    45V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 100mA, 650mV @ 5mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    15nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 5V, 220 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363

Техническая документация

 BC847PN.pdf
pdf. 0 kb
  • 4282 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    39.5 ₽
  • 100
    13.9 ₽
  • 1000
    9.4 ₽
  • 9000
    6.7 ₽
  • 24000
    5.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    BC847PN
  • Описание:
    Транзистор: BJT SOT-363 45V 100MAВсе характеристики

Минимальная цена BC847PN при покупке от 1 шт 39.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BC847PN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BC847PN

BC847PN DIOTEC SEMICONDUCTOR Транзистор: BJT SOT-363 45В 100mA

  • Основные параметры:
    • Тип: BJT (Биполярный транзистор)
    • Номинальное напряжениеCollector-Emitter (VCEO): 45В
    • Номинальный ток Collector (IC): 100mA
    • Форм-фактор: SOT-363
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий уровень шумов при работе
    • Удобство монтажа благодаря компактному размеру
  • Минусы:
    • Относительно высокое значение напряжения на коллекторе
    • Требует дополнительного охлаждения для работы при больших токах
  • Общее назначение:
    • Усиление сигнала
    • Переключение нагрузки
    • Диодное действие
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и телевизоры
    • Автомобильные системы
    • Иllumination systems (системы освещения)
    • Производственное оборудование
    • Электронные часы и цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BC847PN

  • Тип транзистора
    NPN, PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    45V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    600mV @ 5mA, 100mA, 650mV @ 5mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    15nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 5V, 220 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SOT-363

Техническая документация

 BC847PN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BC817BPNТранзистор: BJT SOT-26 45V 500MA
    28.5Кешбэк 4 балла
    BC847PNТранзистор: BJT SOT-363 45V 100MA
    39.5Кешбэк 5 баллов
    BC846SТранзистор: BJT SOT-363 65V 100MA
    39.5Кешбэк 5 баллов
    BC847S-AQТранзистор: BJT SOT-363 45V 100MA
    40.4Кешбэк 6 баллов
    BCM847BSТранзистор: BJT SOT-363 45V 100MA
    67Кешбэк 10 баллов
    2N5794Транзистор: NPN TRANSISTOR
    2 982Кешбэк 447 баллов
    BC846BDW1T1HТранзистор: GENERAL PURPOSE TRANSISTO
    14.8Кешбэк 2 балла
    KSE13009FTUТранзистор: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    85Кешбэк 12 баллов
    NSV60101DMR6T1GТранзистор: 60V, 1A DUAL NPN LOW VCE(
    113Кешбэк 16 баллов
    NSM3005NZTAGTRANS PNP 30V 500MA 6UDFN
    145Кешбэк 21 балл
    LS351 TO-78 6LТранзистор: TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL
    1 914Кешбэк 287 баллов
    NMB2227AXТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6TSOP
    12.4Кешбэк 1 балл
    BC846SZТранзистор: BC846S/SOT363/SC-88
    43Кешбэк 6 баллов
    BC846SFТранзистор: BC846S/SOT363/SC-88
    43Кешбэк 6 баллов
    BC857RAZТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1412-6
    65Кешбэк 9 баллов
    BC807DSFТранзистор: BC807DS/SOT457/SC-74
    72Кешбэк 10 баллов
    BC847RAPNZТранзистор: TRAN NPN/PNP 45V 0.1A DFN1412-6
    72Кешбэк 10 баллов
    BCM56DSFТранзистор: BCM56DS/SOT457/SC-74
    98Кешбэк 14 баллов
    BCM53DSXТранзистор: TRANS 2PNP 80V 1A 6TSOP
    98Кешбэк 14 баллов
    BCM847QASZТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
    104Кешбэк 15 баллов
    BCM857QASZТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A DFN1010B-6
    104Кешбэк 15 баллов
    PMP4501QASZТранзистор: TRANS 2NPN DFN1010B-6
    130Кешбэк 19 баллов
    CA3046Транзистор: CA3046 - GENERAL PURPOSE NPN TRA
    11 442Кешбэк 1 716 баллов
    UMB10NFHATNТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    56Кешбэк 8 баллов
    VT6T11T2RТранзистор: PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
    56Кешбэк 8 баллов
    UMB3NFHATNТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
    56Кешбэк 8 баллов
    UMB2NFHATNТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    56Кешбэк 8 баллов
    UMH3NFHATNТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
    59Кешбэк 8 баллов
    EMZ52T2RТранзистор: PNP+NPN DRIVER TRANSISTOR. 2SAR5
    63Кешбэк 9 баллов
    EMX51T2RТранзистор: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR. TWO 2
    63Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП