Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BCR169E6327HTSA1

BCR169E6327HTSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BCR169E6327HTSA1
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BCR169E6327HTSA1 при покупке от 7969 шт 7.7 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BCR169E6327HTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BCR169E6327HTSA1

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    200 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT23
  • Base Product Number
    BCR169
Техническая документация
BCR169E6327HTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 942000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 7969
    7.7 ₽
  • 36000
    8.2 ₽
  • 75000
    7.5 ₽
  • 150000
    7 ₽

Минимально и кратно 7969 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BCR169E6327HTSA1
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BCR169E6327HTSA1 при покупке от 7969 шт 7.7 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BCR169E6327HTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BCR169E6327HTSA1

  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    200 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT23
  • Base Product Number
    BCR169
Техническая документация
BCR169E6327HTSA1.pdf
pdf. 0 kb