Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFR843EL3E6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1
;
BFR843EL3E6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BFR843EL3E6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10Все характеристики

Минимальная цена BFR843EL3E6327XTSA1 при покупке от 1 шт 254.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFR843EL3E6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1 от Infineon Technologies — это транзистор RF NPN с напряжением включения VCEO = 2.6В.

  • Основные параметры:
    • Тип: RF NPN
    • Напряжение включения (VCEO): 2.6В
    • Размеры: TSLP-3-10
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к излучению
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию для работы в радиочастотном диапазоне
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Коммуникационных системах
    • Системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Датчики и системы дистанционного контроля
    • Радиостанции и трансляционное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BFR843EL3E6327XTSA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2.6V
  • Усиление
    25.5dB
  • Рассеивание мощности
    125mW
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    55mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TSLP-3-10
  • Base Product Number
    BFR843

Техническая документация

 BFR843EL3E6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 15000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    254 ₽
  • 10
    109 ₽
  • 500
    71 ₽
  • 2500
    64 ₽
  • 10000
    61 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BFR843EL3E6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10Все характеристики

Минимальная цена BFR843EL3E6327XTSA1 при покупке от 1 шт 254.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFR843EL3E6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1 от Infineon Technologies — это транзистор RF NPN с напряжением включения VCEO = 2.6В.

  • Основные параметры:
    • Тип: RF NPN
    • Напряжение включения (VCEO): 2.6В
    • Размеры: TSLP-3-10
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к излучению
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию для работы в радиочастотном диапазоне
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Коммуникационных системах
    • Системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Датчики и системы дистанционного контроля
    • Радиостанции и трансляционное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BFR843EL3E6327XTSA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2.6V
  • Усиление
    25.5dB
  • Рассеивание мощности
    125mW
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    55mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TSLP-3-10
  • Base Product Number
    BFR843

Техническая документация

 BFR843EL3E6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFU910FXТранзистор: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
    69Кешбэк 10 баллов
    BFU550XARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    89Кешбэк 13 баллов
    BFU530ARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
    94Кешбэк 14 баллов
    BFU760F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
    159Кешбэк 23 балла
    BFU520YXТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    161Кешбэк 24 балла
    BFU730F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
    189Кешбэк 28 баллов
    BFU630F,115Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
    220Кешбэк 33 балла
    BFU790F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4DFP
    283Кешбэк 42 балла
    2SC4713KT146RТранзистор: RF TRANS NPN 6V 800MHZ SMT3
    43Кешбэк 6 баллов
    2SC4618TLNТранзистор: RF TRANS NPN 25V 300MHZ EMT3
    48Кешбэк 7 баллов
    MT3S16U(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BFU550WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
    95Кешбэк 14 баллов
    BFU725F/N1,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
    169Кешбэк 25 баллов
    HFA3102BZТранзистор: RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
    1 575Кешбэк 236 баллов
    HFA3096BZТранзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 305Кешбэк 345 баллов
    HFA3046BZТранзистор: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
    2 408Кешбэк 361 балл
    HFA3135IHZ96Транзистор: RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6
    2 414Кешбэк 362 балла
    MAX2601ESA+Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
    1 877Кешбэк 281 балл
    MAX2602ESA+Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
    2 027Кешбэк 304 балла
    2SC5013-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    54Кешбэк 8 баллов
    2SC5751-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    76Кешбэк 11 баллов
    2SC5750-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    85Кешбэк 12 баллов
    HSG1002VE-TL-EТранзистор: RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
    96Кешбэк 14 баллов
    2SC4957-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    98Кешбэк 14 баллов
    UPA802T-T1-AТранзистор: RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
    104Кешбэк 15 баллов
    2SC5752-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    196Кешбэк 29 баллов
    HFA3134IHZ96Транзистор: RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
    1 449Кешбэк 217 баллов
    HFA3096BZ96Транзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 042Кешбэк 306 баллов
    HFA3127BZТранзистор: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
    2 636Кешбэк 395 баллов
    CA3127MZТранзистор: RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC
    3 728Кешбэк 559 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП