Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFR843EL3E6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1
;
BFR843EL3E6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BFR843EL3E6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10Все характеристики

Минимальная цена BFR843EL3E6327XTSA1 при покупке от 1 шт 213.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFR843EL3E6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1 от Infineon Technologies — это транзистор RF NPN с напряжением включения VCEO = 2.6В.

  • Основные параметры:
    • Тип: RF NPN
    • Напряжение включения (VCEO): 2.6В
    • Размеры: TSLP-3-10
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к излучению
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию для работы в радиочастотном диапазоне
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Коммуникационных системах
    • Системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Датчики и системы дистанционного контроля
    • Радиостанции и трансляционное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BFR843EL3E6327XTSA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2.6V
  • Усиление
    25.5dB
  • Рассеивание мощности
    125mW
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    55mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TSLP-3-10
  • Base Product Number
    BFR843

Техническая документация

 BFR843EL3E6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 15000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    213 ₽
  • 10
    115 ₽
  • 500
    76 ₽
  • 2500
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BFR843EL3E6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10Все характеристики

Минимальная цена BFR843EL3E6327XTSA1 при покупке от 1 шт 213.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFR843EL3E6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1 от Infineon Technologies — это транзистор RF NPN с напряжением включения VCEO = 2.6В.

  • Основные параметры:
    • Тип: RF NPN
    • Напряжение включения (VCEO): 2.6В
    • Размеры: TSLP-3-10
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к излучению
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию для работы в радиочастотном диапазоне
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Коммуникационных системах
    • Системах управления
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Датчики и системы дистанционного контроля
    • Радиостанции и трансляционное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BFR843EL3E6327XTSA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2.6V
  • Усиление
    25.5dB
  • Рассеивание мощности
    125mW
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    55mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TSLP-3-10
  • Base Product Number
    BFR843

Техническая документация

 BFR843EL3E6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFR93AWH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR360FH6765XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR35APE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFP760H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT343
    65Кешбэк 9 баллов
    BFP520H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4
    74Кешбэк 11 баллов
    BFP740FESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
    82Кешбэк 12 баллов
    BFP540FESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
    84Кешбэк 12 баллов
    BFP640FESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP
    89Кешбэк 13 баллов
    BFQ19SH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3
    93Кешбэк 13 баллов
    BFP650FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
    95Кешбэк 14 баллов
    BFP640H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4
    95Кешбэк 14 баллов
    BFP640ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343
    95Кешбэк 14 баллов
    BFP842ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343
    97Кешбэк 14 баллов
    BFP840ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343
    97Кешбэк 14 баллов
    BFP740H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343
    97Кешбэк 14 баллов
    BFP740ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
    97Кешбэк 14 баллов
    BFP450H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4
    99Кешбэк 14 баллов
    BFP540ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4
    99Кешбэк 14 баллов
    BFP650H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4
    99Кешбэк 14 баллов
    BFP620H7764XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 65GHZ SOT343-4
    99Кешбэк 14 баллов
    BF771E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    99Кешбэк 14 баллов
    BFS483H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
    101Кешбэк 15 баллов
    BFP640FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP
    106Кешбэк 15 баллов
    BFP840FESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
    106Кешбэк 15 баллов
    BFP740FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP
    106Кешбэк 15 баллов
    BFS481H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
    108Кешбэк 16 баллов
    BFR840L3RHESDE6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
    154Кешбэк 23 балла
    BFP843H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.25V SOT343
    186Кешбэк 27 баллов
    BFP843FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1
    199Кешбэк 29 баллов
    BFR843EL3E6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10
    213Кешбэк 31 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП