Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFS17NQTA
  • В избранное
  • В сравнение
BFS17NQTA

BFS17NQTA

BFS17NQTA
;
BFS17NQTA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BFS17NQTA
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23Все характеристики

Минимальная цена BFS17NQTA при покупке от 1 шт 112.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFS17NQTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFS17NQTA

BFS17NQTA — это транзистор RF (радиочастотный) типа NPN от компании Diodes Incorporated. Этот транзистор предназначен для работы на высоких частотах.

  • Номинальное напряжение базы-эмиттера: 11В
  • Частота нарезки: 3.2ГГц
  • Пакет: SOT23

Плюсы:

  • Высокая скорость срабатывания
  • Устойчивость к помехам
  • Малый размер и легкость интеграции в радиочастотные системы

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
  • Могут возникать проблемы с перегревом при длительной эксплуатации

Общее назначение: BFS17NQTA используется для усиления сигналов на радиочастотах, а также в различных приборах, требующих высокочастотных операций.

В каких устройствах применяется:

  • Радиоприемники и передатчики
  • Мобильные телефоны и смартфоны
  • Датчики движения и других датчиков
  • Системы беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFS17NQTA

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    11V
  • Трансформация частоты
    3.2GHz
  • Рассеивание мощности
    310mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    BFS17

Техническая документация

 BFS17NQTA.pdf
pdf. 0 kb
  • 2305 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    112 ₽
  • 100
    57 ₽
  • 1000
    51 ₽
  • 6000
    40 ₽
  • 24000
    37.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BFS17NQTA
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23Все характеристики

Минимальная цена BFS17NQTA при покупке от 1 шт 112.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFS17NQTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFS17NQTA

BFS17NQTA — это транзистор RF (радиочастотный) типа NPN от компании Diodes Incorporated. Этот транзистор предназначен для работы на высоких частотах.

  • Номинальное напряжение базы-эмиттера: 11В
  • Частота нарезки: 3.2ГГц
  • Пакет: SOT23

Плюсы:

  • Высокая скорость срабатывания
  • Устойчивость к помехам
  • Малый размер и легкость интеграции в радиочастотные системы

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
  • Могут возникать проблемы с перегревом при длительной эксплуатации

Общее назначение: BFS17NQTA используется для усиления сигналов на радиочастотах, а также в различных приборах, требующих высокочастотных операций.

В каких устройствах применяется:

  • Радиоприемники и передатчики
  • Мобильные телефоны и смартфоны
  • Датчики движения и других датчиков
  • Системы беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFS17NQTA

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    11V
  • Трансформация частоты
    3.2GHz
  • Рассеивание мощности
    310mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    BFS17

Техническая документация

 BFS17NQTA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFS17NQTAТранзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23
    112Кешбэк 16 баллов
    BFG505/X,215Транзистор: RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B
    49Кешбэк 7 баллов
    BFU520XRRТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
    61Кешбэк 9 баллов
    BFU530WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
    104Кешбэк 15 баллов
    BFT93,215Транзистор: RF TRANS PNP 12V 5GHZ TO236AB
    107Кешбэк 16 баллов
    BFM505,115RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP
    116Кешбэк 17 баллов
    BFU520XVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    125Кешбэк 18 баллов
    BFU530VLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    127Кешбэк 19 баллов
    BFU530RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    127Кешбэк 19 баллов
    BFU520WXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    141Кешбэк 21 балл
    BFU520RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    148Кешбэк 22 балла
    BFU768F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
    150Кешбэк 22 балла
    BFU520YXТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    180Кешбэк 27 баллов
    BFU520YFТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    247Кешбэк 37 баллов
    BFU590QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
    334Кешбэк 50 баллов
    SS9018FBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    7.6Кешбэк 1 балл
    2N3663Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
    7.6Кешбэк 1 балл
    SS9018GBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    9.5Кешбэк 1 балл
    MMBTH10Транзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.5Кешбэк 1 балл
    PN3563Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    13.3Кешбэк 1 балл
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    15.2Кешбэк 2 балла
    MMBTH10RGТранзистор: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    19Кешбэк 2 балла
    MPSH17Транзистор: TRANS NPN 15V TO-92
    19Кешбэк 2 балла
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    28.5Кешбэк 4 балла
    MMBTH34Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    57Кешбэк 8 баллов
    NE68730-T1Транзистор
    116Кешбэк 17 баллов
    NE68119-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
    152Кешбэк 22 балла
    NE68819-T1-AТранзистор: TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
    152Кешбэк 22 балла
    NE68519-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
    152Кешбэк 22 балла
    NE662M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
    380Кешбэк 57 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП