Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFS17NQTA
  • В избранное
  • В сравнение
BFS17NQTA

BFS17NQTA

BFS17NQTA
;
BFS17NQTA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BFS17NQTA
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23Все характеристики

Минимальная цена BFS17NQTA при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFS17NQTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFS17NQTA

BFS17NQTA — это транзистор RF (радиочастотный) типа NPN от компании Diodes Incorporated. Этот транзистор предназначен для работы на высоких частотах.

  • Номинальное напряжение базы-эмиттера: 11В
  • Частота нарезки: 3.2ГГц
  • Пакет: SOT23

Плюсы:

  • Высокая скорость срабатывания
  • Устойчивость к помехам
  • Малый размер и легкость интеграции в радиочастотные системы

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
  • Могут возникать проблемы с перегревом при длительной эксплуатации

Общее назначение: BFS17NQTA используется для усиления сигналов на радиочастотах, а также в различных приборах, требующих высокочастотных операций.

В каких устройствах применяется:

  • Радиоприемники и передатчики
  • Мобильные телефоны и смартфоны
  • Датчики движения и других датчиков
  • Системы беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFS17NQTA

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    11V
  • Трансформация частоты
    3.2GHz
  • Рассеивание мощности
    310mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    BFS17

Техническая документация

 BFS17NQTA.pdf
pdf. 0 kb
  • 2435 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    109 ₽
  • 100
    55 ₽
  • 1000
    50 ₽
  • 6000
    39 ₽
  • 24000
    36.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    BFS17NQTA
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23Все характеристики

Минимальная цена BFS17NQTA при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFS17NQTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFS17NQTA

BFS17NQTA — это транзистор RF (радиочастотный) типа NPN от компании Diodes Incorporated. Этот транзистор предназначен для работы на высоких частотах.

  • Номинальное напряжение базы-эмиттера: 11В
  • Частота нарезки: 3.2ГГц
  • Пакет: SOT23

Плюсы:

  • Высокая скорость срабатывания
  • Устойчивость к помехам
  • Малый размер и легкость интеграции в радиочастотные системы

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
  • Могут возникать проблемы с перегревом при длительной эксплуатации

Общее назначение: BFS17NQTA используется для усиления сигналов на радиочастотах, а также в различных приборах, требующих высокочастотных операций.

В каких устройствах применяется:

  • Радиоприемники и передатчики
  • Мобильные телефоны и смартфоны
  • Датчики движения и других датчиков
  • Системы беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFS17NQTA

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    11V
  • Трансформация частоты
    3.2GHz
  • Рассеивание мощности
    310mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    BFS17

Техническая документация

 BFS17NQTA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFP640FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP
    74Кешбэк 11 баллов
    2SC5095-R(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
    102Кешбэк 15 баллов
    BFU520XARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    54Кешбэк 8 баллов
    BFR35APE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    52Кешбэк 7 баллов
    KSP10TAТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    NE68118-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE663M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F
    445Кешбэк 66 баллов
    MMBTH34Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    40Кешбэк 6 баллов
    BFP843FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1
    146Кешбэк 21 балл
    HFA3128BТранзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    1 121Кешбэк 168 баллов
    2SC5085-O(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
    113Кешбэк 16 баллов
    BFP460H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4
    57Кешбэк 8 баллов
    MCH4009-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH
    143Кешбэк 21 балл
    ZUMTS17NTAТранзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323
    56Кешбэк 8 баллов
    BFP410H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
    76Кешбэк 11 баллов
    2SC4618TLNТранзистор: RF TRANS NPN 25V 300MHZ EMT3
    48Кешбэк 7 баллов
    2SC5108-Y,LFRF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM
    98Кешбэк 14 баллов
    BFR340FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    41Кешбэк 6 баллов
    MCH4014-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
    122Кешбэк 18 баллов
    BFP740ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
    94Кешбэк 14 баллов
    MMBTH10-TPТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
    18.5Кешбэк 2 балла
    55GN01FA-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP
    115Кешбэк 17 баллов
    BFU760F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
    159Кешбэк 23 балла
    BFS483H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
    98Кешбэк 14 баллов
    2SC4915-O,LFТранзистор: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SSM
    37Кешбэк 5 баллов
    NE68730-T1Транзистор
    113Кешбэк 16 баллов
    BFS17NQTAТранзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23
    109Кешбэк 16 баллов
    AT-32011-TR1Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V SOT143
    94Кешбэк 14 баллов
    HFA3096BZТранзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 305Кешбэк 345 баллов
    BFP183WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4
    42Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП