Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFU520R
  • В избранное
  • В сравнение
BFU520R

BFU520R

BFU520R
;
BFU520R

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU520R
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143BВсе характеристики

Минимальная цена BFU520R при покупке от 1 шт 152.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU520R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU520R

BFU520R NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 12В 10.5ГГц SOT143B

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение питания: 12В
    • Рабочая частота: до 10.5ГГц
    • Пакет: SOT143B
  • Плюсы:
    • Высокая рабочая частота для RF приложений
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу из-за высокой рабочей частоты
    • Стоимость может быть выше, чем у транзисторов с более низкой рабочей частотой
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) системах
    • Амплитудная модуляция и демодуляция сигналов
    • Усилители высокочастотных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Коммуникационные системы
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Беспроводные сети
Выбрано: Показать

Характеристики BFU520R

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    10.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.65dB @ 900MHz
  • Усиление
    20dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-253-4, TO-253AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-143B
  • Base Product Number
    BFU520

Техническая документация

 BFU520R.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    152 ₽
  • 100
    62 ₽
  • 1000
    41.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU520R
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143BВсе характеристики

Минимальная цена BFU520R при покупке от 1 шт 152.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU520R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU520R

BFU520R NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 12В 10.5ГГц SOT143B

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение питания: 12В
    • Рабочая частота: до 10.5ГГц
    • Пакет: SOT143B
  • Плюсы:
    • Высокая рабочая частота для RF приложений
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу из-за высокой рабочей частоты
    • Стоимость может быть выше, чем у транзисторов с более низкой рабочей частотой
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) системах
    • Амплитудная модуляция и демодуляция сигналов
    • Усилители высокочастотных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Коммуникационные системы
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Беспроводные сети
Выбрано: Показать

Характеристики BFU520R

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    10.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.65dB @ 900MHz
  • Усиление
    20dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-253-4, TO-253AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-143B
  • Base Product Number
    BFU520

Техническая документация

 BFU520R.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFU520RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    152Кешбэк 22 балла
    BFU768F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
    154Кешбэк 23 балла
    BFU520YXТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    185Кешбэк 27 баллов
    BFU520YFТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    253Кешбэк 37 баллов
    BFU590QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
    342Кешбэк 51 балл
    SS9018FBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    7.8Кешбэк 1 балл
    2N3663Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
    7.8Кешбэк 1 балл
    SS9018GBUТранзистор: RF 0.05A, VERY HIGH FREQUENCY BA
    9.7Кешбэк 1 балл
    MMBTH10Транзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.7Кешбэк 1 балл
    PN3563Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    13.6Кешбэк 2 балла
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    15.6Кешбэк 2 балла
    MMBTH10RGТранзистор: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    19.4Кешбэк 2 балла
    MPSH17Транзистор: TRANS NPN 15V TO-92
    19.4Кешбэк 2 балла
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    29Кешбэк 4 балла
    MMBTH34Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    58Кешбэк 8 баллов
    HFA3134IHZ96Транзистор: RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
    1 505Кешбэк 225 баллов
    HFA3096BZТранзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 395Кешбэк 359 баллов
    NE68730-T1Транзистор
    119Кешбэк 17 баллов
    NE68119-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
    156Кешбэк 23 балла
    NE68819-T1-AТранзистор: TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
    156Кешбэк 23 балла
    NE68519-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
    156Кешбэк 23 балла
    NE662M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68133-T1B-R34-AТранзистор
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68139-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68030-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68033-T1B-AТранзистор
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68018-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68518-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
    389Кешбэк 58 баллов
    NE68118-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343
    389Кешбэк 58 баллов
    NE66219-T1-AТранзистор
    467Кешбэк 70 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторные модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП