Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFU530R
  • В избранное
  • В сравнение
BFU530R

BFU530R

BFU530R
;
BFU530R

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU530R
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143BВсе характеристики

Минимальная цена BFU530R при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU530R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU530R

BFU530R NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение питания: 12В
    • Частота работы: до 11ГГц
    • Форм-фактор: SOT143B
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к высоким частотам
    • Малый размер и компактность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и использованию
    • Сложность в выборе правильного радиуса изгиба при монтаже
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) устройствах
    • Работа с сигналами высоких частот
    • Передатчики и приемники в системах связи
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы навигации
    • Коммуникационные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BFU530R

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    11GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.6dB @ 900MHz
  • Усиление
    21.5dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-253-4, TO-253AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-143B
  • Base Product Number
    BFU530

Техническая документация

 BFU530R.pdf
pdf. 0 kb
  • 411 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    74 ₽
  • 10
    55 ₽
  • 3000
    24.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU530R
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143BВсе характеристики

Минимальная цена BFU530R при покупке от 1 шт 74.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU530R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU530R

BFU530R NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение питания: 12В
    • Частота работы: до 11ГГц
    • Форм-фактор: SOT143B
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к высоким частотам
    • Малый размер и компактность
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и использованию
    • Сложность в выборе правильного радиуса изгиба при монтаже
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) устройствах
    • Работа с сигналами высоких частот
    • Передатчики и приемники в системах связи
  • Применение в устройствах:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы навигации
    • Коммуникационные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BFU530R

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    11GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.6dB @ 900MHz
  • Усиление
    21.5dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-253-4, TO-253AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-143B
  • Base Product Number
    BFU530

Техническая документация

 BFU530R.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBTH10-4LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    15GN03MA-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP
    98Кешбэк 14 баллов
    2SC6024-TL-EТранзистор: BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
    22.2Кешбэк 3 балла
    NSVMMBTH10LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
    48Кешбэк 7 баллов
    SMMBTH10-4LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    89Кешбэк 13 баллов
    BF959RL1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPS3563GRF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
    13Кешбэк 1 балл
    MMBTH10M3T5GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
    20.4Кешбэк 3 балла
    55GN01CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
    76Кешбэк 11 баллов
    15GN03CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP
    72Кешбэк 10 баллов
    2SC5415AE-TD-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
    113Кешбэк 16 баллов
    MCH4015-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
    138Кешбэк 20 баллов
    CPH6003A-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    141Кешбэк 21 балл
    CPH6001A-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH
    122Кешбэк 18 баллов
    KSP10TAТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    MCH4009-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH
    143Кешбэк 21 балл
    55GN01FA-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP
    115Кешбэк 17 баллов
    MPS3563RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
    39Кешбэк 5 баллов
    2SC5226A-4-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP
    133Кешбэк 19 баллов
    2SC5347AE-TD-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
    185Кешбэк 27 баллов
    2SC5488A-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SSFP
    124Кешбэк 18 баллов
    BFU910FXТранзистор: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
    69Кешбэк 10 баллов
    BFU550XARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    89Кешбэк 13 баллов
    BFU520YXТранзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ SOT363
    161Кешбэк 24 балла
    BFU530ARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
    94Кешбэк 14 баллов
    BFU530XRVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
    59Кешбэк 8 баллов
    BFU730F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
    189Кешбэк 28 баллов
    BFU520XRVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
    26Кешбэк 3 балла
    BFU520XARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    54Кешбэк 8 баллов
    BFU760F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
    159Кешбэк 23 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП