Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFU530VL
  • В избранное
  • В сравнение
BFU530VL

BFU530VL

BFU530VL
;
BFU530VL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU530VL
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143BВсе характеристики

Минимальная цена BFU530VL при покупке от 1 шт 124.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU530VL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU530VL

BFU530VL NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VBE(on)): ≤ 0,7 В
    • Максимальная частота срабатывания (fT): 11 ГГц
    • Максимальное напряжение питания (VCC(max)): 12 В
    • Тип: NPN
    • Форм-фактор: SOT143B
  • Плюсы:
    • Высокая скорость срабатывания
    • Высокая рабочая частота
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на полной мощности
    • Необходимо соблюдать максимальные значения тока для обеспечения надежной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосвязи и радиоэлектронике
    • Работа в радиочастотном диапазоне
    • Детектирование и усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы навигации и безопасности
Выбрано: Показать

Характеристики BFU530VL

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    11GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1.8GHz
  • Усиление
    15.5dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-253-4, TO-253AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-143B
  • Base Product Number
    BFU530

Техническая документация

 BFU530VL.pdf
pdf. 0 kb
  • 9790 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    124 ₽
  • 100
    49 ₽
  • 1000
    34 ₽
  • 10000
    23 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU530VL
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143BВсе характеристики

Минимальная цена BFU530VL при покупке от 1 шт 124.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU530VL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU530VL

BFU530VL NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VBE(on)): ≤ 0,7 В
    • Максимальная частота срабатывания (fT): 11 ГГц
    • Максимальное напряжение питания (VCC(max)): 12 В
    • Тип: NPN
    • Форм-фактор: SOT143B
  • Плюсы:
    • Высокая скорость срабатывания
    • Высокая рабочая частота
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при работе на полной мощности
    • Необходимо соблюдать максимальные значения тока для обеспечения надежной работы
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосвязи и радиоэлектронике
    • Работа в радиочастотном диапазоне
    • Детектирование и усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники и передатчики
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы навигации и безопасности
Выбрано: Показать

Характеристики BFU530VL

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    11GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1.8GHz
  • Усиление
    15.5dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-253-4, TO-253AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-143B
  • Base Product Number
    BFU530

Техническая документация

 BFU530VL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFP640FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP
    74Кешбэк 11 баллов
    2SC5095-R(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70
    102Кешбэк 15 баллов
    BFU520XARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
    54Кешбэк 8 баллов
    BFR35APE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    52Кешбэк 7 баллов
    KSP10TAТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    NE68118-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE663M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F
    445Кешбэк 66 баллов
    MMBTH34Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    40Кешбэк 6 баллов
    BFP843FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1
    146Кешбэк 21 балл
    HFA3128BТранзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    1 121Кешбэк 168 баллов
    2SC5085-O(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
    113Кешбэк 16 баллов
    BFP460H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4
    57Кешбэк 8 баллов
    MCH4009-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH
    143Кешбэк 21 балл
    ZUMTS17NTAТранзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323
    56Кешбэк 8 баллов
    BFP410H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
    76Кешбэк 11 баллов
    2SC4618TLNТранзистор: RF TRANS NPN 25V 300MHZ EMT3
    48Кешбэк 7 баллов
    2SC5108-Y,LFRF TRANS NPN 10V 6GHZ SSM
    98Кешбэк 14 баллов
    BFR340FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    41Кешбэк 6 баллов
    MCH4014-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
    122Кешбэк 18 баллов
    BFP740ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
    94Кешбэк 14 баллов
    MMBTH10-TPТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
    18.5Кешбэк 2 балла
    55GN01FA-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3SSFP
    115Кешбэк 17 баллов
    BFU760F,115Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
    159Кешбэк 23 балла
    BFS483H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
    98Кешбэк 14 баллов
    2SC4915-O,LFТранзистор: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SSM
    37Кешбэк 5 баллов
    NE68730-T1Транзистор
    113Кешбэк 16 баллов
    BFS17NQTAТранзистор: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23
    109Кешбэк 16 баллов
    AT-32011-TR1Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V SOT143
    94Кешбэк 14 баллов
    HFA3096BZТранзистор: RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    2 305Кешбэк 345 баллов
    BFP183WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT343-4
    42Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП