Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFU530XRVL
  • В избранное
  • В сравнение
BFU530XRVL

BFU530XRVL

BFU530XRVL
;
BFU530XRVL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BFU530XRVL
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143RВсе характеристики

Минимальная цена BFU530XRVL при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU530XRVL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU530XRVL

BFU530XRVL NXP USA Inc. Транзистор: RF TRANS NPN 12В 11ГГц SOT143R

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение питания: 12В
    • Номинальная частота: 11ГГц
    • Пакет: SOT143R
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу из-за высокой рабочей частоты
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах высокой частоты
    • Радиоприемники и передатчики
    • Радарные системы
    • Системы связи и навигации
  • Применение в устройствах:
    • Радиостанции
    • Радары
    • Системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFU530XRVL

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    11GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1.8GHz
  • Усиление
    16.5dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-143R
  • Исполнение корпуса
    SOT-143R
  • Base Product Number
    BFU530

Техническая документация

 BFU530XRVL.pdf
pdf. 0 kb
  • 6695 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 ₽
  • 25
    36.6 ₽
  • 250
    29 ₽
  • 1000
    26.4 ₽
  • 5000
    24.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BFU530XRVL
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143RВсе характеристики

Минимальная цена BFU530XRVL при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU530XRVL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU530XRVL

BFU530XRVL NXP USA Inc. Транзистор: RF TRANS NPN 12В 11ГГц SOT143R

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Номинальное напряжение питания: 12В
    • Номинальная частота: 11ГГц
    • Пакет: SOT143R
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и монтажу из-за высокой рабочей частоты
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах высокой частоты
    • Радиоприемники и передатчики
    • Радарные системы
    • Системы связи и навигации
  • Применение в устройствах:
    • Радиостанции
    • Радары
    • Системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFU530XRVL

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    11GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.1dB @ 1.8GHz
  • Усиление
    16.5dB
  • Рассеивание мощности
    450mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 10mA, 8V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40mA
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-143R
  • Исполнение корпуса
    SOT-143R
  • Base Product Number
    BFU530

Техническая документация

 BFU530XRVL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF422Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-11
    25 719Кешбэк 3 857 баллов
    MRF428Транзистор: RF TRANS NPN 55V 211-11
    33 720Кешбэк 5 058 баллов
    MRF455Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-07
    15 598Кешбэк 2 339 баллов
    HFA3096B96Транзистор: ULTRA HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
    463Кешбэк 69 баллов
    BFR360FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BGR405H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V SOT343-4
    48Кешбэк 7 баллов
    BF799WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
    16.7Кешбэк 2 балла
    BFP520FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ 4TSFP
    70Кешбэк 10 баллов
    BFP182RE7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4
    28Кешбэк 4 балла
    BFP650H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4
    76Кешбэк 11 баллов
    BFP420E6327Транзистор: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
    35Кешбэк 5 баллов
    BFR182WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
    24Кешбэк 3 балла
    BFP193WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BFR181WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
    24Кешбэк 3 балла
    BFP450H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 24GHZ SOT343-4
    96Кешбэк 14 баллов
    BFP640H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4
    76Кешбэк 11 баллов
    BFP196WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
    54Кешбэк 8 баллов
    BFR193FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
    57Кешбэк 8 баллов
    BFP840FESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
    72Кешбэк 10 баллов
    BFR843EL3E6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10
    254Кешбэк 38 баллов
    BFR380L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1
    57Кешбэк 8 баллов
    BF771E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BFP420H6433XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
    85Кешбэк 12 баллов
    BFP420FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP
    65Кешбэк 9 баллов
    BFP842ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343
    94Кешбэк 14 баллов
    BFR340L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1
    57Кешбэк 8 баллов
    BFR193WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
    37Кешбэк 5 баллов
    BFP540ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4
    93Кешбэк 13 баллов
    BFP420H6801XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
    85Кешбэк 12 баллов
    BFP843H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.25V SOT343
    180Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП