Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
BFU710F,115
  • В избранное
  • В сравнение
BFU710F,115

BFU710F,115

BFU710F,115
;
BFU710F,115

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU710F,115
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFPВсе характеристики

Минимальная цена BFU710F,115 при покупке от 1 шт 130.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU710F,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU710F,115

BFU710F, 115 NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 2.8В
    • Частота: 43ГГц
    • Форм-фактор: 4DFP (четырехдисковый плоский)
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер и компактная конструкция
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует специализированного оборудования для производства и тестирования
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах
    • Модуляции и демодуляции сигналов
    • Усилители высокочастотных сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Системы связи на радиочастотах
    • Радарные системы
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFU710F,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2.8V
  • Трансформация частоты
    43GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
  • Рассеивание мощности
    136mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-343F
  • Исполнение корпуса
    4-DFP
  • Base Product Number
    BFU710

Техническая документация

 BFU710F,115.pdf
pdf. 0 kb
  • 1971 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    130 ₽
  • 10
    94 ₽
  • 100
    76 ₽
  • 1000
    74 ₽
  • 3000
    37 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BFU710F,115
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFPВсе характеристики

Минимальная цена BFU710F,115 при покупке от 1 шт 130.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BFU710F,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BFU710F,115

BFU710F, 115 NXP Semiconductors Транзистор: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 2.8В
    • Частота: 43ГГц
    • Форм-фактор: 4DFP (четырехдисковый плоский)
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер и компактная конструкция
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует специализированного оборудования для производства и тестирования
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах
    • Модуляции и демодуляции сигналов
    • Усилители высокочастотных сигналов
  • Применение в устройствах:
    • Системы связи на радиочастотах
    • Радарные системы
    • Мобильные телефоны и другие беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BFU710F,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    2.8V
  • Трансформация частоты
    43GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
  • Рассеивание мощности
    136mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 2V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    10mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-343F
  • Исполнение корпуса
    4-DFP
  • Base Product Number
    BFU710

Техническая документация

 BFU710F,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBT5179Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SC5277A-2-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP
    76Кешбэк 11 баллов
    MSC2295-CT1Транзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MMBTH10LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SC6023-TR-EТранзистор: NPN 35MA 3.5V FT=14.5G
    18.5Кешбэк 2 балла
    EC4H09C-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
    187Кешбэк 28 баллов
    FH105A-TR-EТранзистор
    76Кешбэк 11 баллов
    EC4H08C-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
    135Кешбэк 20 баллов
    MSC2295-CT1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MMBT918LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
    20.4Кешбэк 3 балла
    MMBTH81Транзистор: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3
    22.2Кешбэк 3 балла
    FH102A-TR-EТранзистор
    72Кешбэк 10 баллов
    MSC2295-BT1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59
    13Кешбэк 1 балл
    MCH4020-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH
    122Кешбэк 18 баллов
    2SC5231A-8-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP
    46Кешбэк 6 баллов
    MMBTH10-4LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    15GN03MA-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP
    98Кешбэк 14 баллов
    2SC6024-TL-EТранзистор: BIP NPN 35MA 3.5V FT=14G
    22.2Кешбэк 3 балла
    NSVMMBTH10LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
    48Кешбэк 7 баллов
    SMMBTH10-4LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    89Кешбэк 13 баллов
    BF959RL1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPS3563GRF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
    13Кешбэк 1 балл
    MMBTH10M3T5GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
    20.4Кешбэк 3 балла
    55GN01CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
    76Кешбэк 11 баллов
    15GN03CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP
    72Кешбэк 10 баллов
    2SC5415AE-TD-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
    113Кешбэк 16 баллов
    MCH4015-TL-HТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
    138Кешбэк 20 баллов
    CPH6003A-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    141Кешбэк 21 балл
    CPH6001A-TL-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH
    122Кешбэк 18 баллов
    KSP10TAТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
    22.2Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП