BLA6G1011-200R,112

BLA6G1011-200R, 112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A

• Основные параметры:
  • Тип: RF FET LDMOS (Высокочастотный полупроводниковый транзистор с тонким слоем оксида)
  • Напряжение: 65В
  • Уровень выходной мощности: 20dBm
  • Объем: SOT502A
• Плюсы:
  • Высокая мощность выходного сигнала
  • Сбалансированное соотношение мощности и эффективности
  • Долгий срок службы благодаря надежной технологии LDMOS
  • Малые размеры и легкий вес
• Минусы:
  • Высокие требования к охлаждению из-за высокой выходной мощности
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Общее назначение:
  • Использование в радиосвязи и радиоприемниках высокой мощности
  • Применение в системах передачи данных и телевидения
  • Работа в системах спутниковой связи
• В каких устройствах применяется:
  • Станции мобильной радиосвязи
  • Спутниковые терминалы
  • Станции передачи телевизионных сигналов
  • Антенны для радиолокации и радаров