Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLA6H1011-600,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLA6H1011-600,112

BLA6H1011-600,112

BLA6H1011-600,112
;
BLA6H1011-600,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLA6H1011-600,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539AВсе характеристики

Минимальная цена BLA6H1011-600,112 при покупке от 1 шт 121461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLA6H1011-600,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLA6H1011-600,112

BLA6H1011-600, 112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A

  • Основные параметры:
    • Тип: RF FET LDMOS (высокочастотный полупроводниковый транзистор с полупроводниковой мембраной)
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Давление усиления: 17dB
    • Пакет: SOT539A
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Высокая мощность выходного сигнала
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к термостабилизации
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиоэлектронная аппаратура
    • Системы связи
    • Источники высокочастотной энергии
  • Применение в устройствах:
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Аналоговые и цифровые радиостанции
    • Устройства мобильной связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLA6H1011-600,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
  • Current Rating (Amps)
    72A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    100 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    BLA6

Техническая документация

 BLA6H1011-600,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 19 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    121 461 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLA6H1011-600,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539AВсе характеристики

Минимальная цена BLA6H1011-600,112 при покупке от 1 шт 121461.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLA6H1011-600,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLA6H1011-600,112

BLA6H1011-600, 112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A

  • Основные параметры:
    • Тип: RF FET LDMOS (высокочастотный полупроводниковый транзистор с полупроводниковой мембраной)
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Давление усиления: 17dB
    • Пакет: SOT539A
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Высокая мощность выходного сигнала
    • Долговечность и надежность
  • Минусы:
    • Высокие требования к термостабилизации
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Радиоэлектронная аппаратура
    • Системы связи
    • Источники высокочастотной энергии
  • Применение в устройствах:
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Аналоговые и цифровые радиостанции
    • Устройства мобильной связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLA6H1011-600,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
  • Current Rating (Amps)
    72A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    100 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    BLA6

Техническая документация

 BLA6H1011-600,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF184XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    28 955Кешбэк 4 343 балла
    BLF8G24LS-100VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    12 005Кешбэк 1 800 баллов
    BLC8G27LS-60AVZТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    7 803Кешбэк 1 170 баллов
    BLF184XRGQТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    28 955Кешбэк 4 343 балла
    BLC8G27LS-210PVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513
    14 984Кешбэк 2 247 баллов
    BLF888AS,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
    54 876Кешбэк 8 231 балл
    BLF6G38S-25,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B
    13 910Кешбэк 2 086 баллов
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    47 749Кешбэк 7 162 балла
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 292Кешбэк 1 093 балла
    BLF6G22LS-40P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
    11 718Кешбэк 1 757 баллов
    BLF7G27L-150P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A
    25 383Кешбэк 3 807 баллов
    BLF6G38-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A
    26 213Кешбэк 3 931 балл
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    17 580Кешбэк 2 637 баллов
    BLD6G22LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B
    20 539Кешбэк 3 080 баллов
    BLF8G10LS-270,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 031Кешбэк 2 254 балла
    BLF7G20LS-140P,112RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    18 254Кешбэк 2 738 баллов
    BLF182XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    22 514Кешбэк 3 377 баллов
    BLF6G10LS-135R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
    20 044Кешбэк 3 006 баллов
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    164 135Кешбэк 24 620 баллов
    BLS8G2731LS-400PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B
    145 418Кешбэк 21 812 баллов
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    121 461Кешбэк 18 219 баллов
    BLF7G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    21 535Кешбэк 3 230 баллов
    BLF10H6600PSUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    37 737Кешбэк 5 660 баллов
    BLF7G27LS-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B
    14 792Кешбэк 2 218 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    79 870Кешбэк 11 980 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    16 767Кешбэк 2 515 баллов
    BLF7G24LS-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    23 898Кешбэк 3 584 балла
    BLF7G24L-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
    25 948Кешбэк 3 892 балла
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    17 621Кешбэк 2 643 балла
    BLF2425M7LS140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    26 795Кешбэк 4 019 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП