Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLC9G20LS-470AVTZ
BLC9G20LS-470AVTZ

BLC9G20LS-470AVTZ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC9G20LS-470AVTZ
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583Все характеристики

Минимальная цена BLC9G20LS-470AVTZ при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC9G20LS-470AVTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC9G20LS-470AVTZ

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    1.81GHz ~ 1.88GHz
  • Усиление
    15.7dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    400 mA
  • Мощность передачи
    470W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1258-3
  • Исполнение корпуса
    DFM6
  • Base Product Number
    BLC9
Техническая документация
 BLC9G20LS-470AVTZ.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Минимально и кратно 3 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLC9G20LS-470AVTZ
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583Все характеристики

Минимальная цена BLC9G20LS-470AVTZ при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLC9G20LS-470AVTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLC9G20LS-470AVTZ

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    1.81GHz ~ 1.88GHz
  • Усиление
    15.7dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    400 mA
  • Мощность передачи
    470W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1258-3
  • Исполнение корпуса
    DFM6
  • Base Product Number
    BLC9
Техническая документация
 BLC9G20LS-470AVTZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BF1216,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    45Кешбэк 6 баллов
    MRF6VP11KHR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI1230S-4
    53 834Кешбэк 8 075 баллов
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 218Кешбэк 632 балла
    BF1005SE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
    17.4Кешбэк 2 балла
    BLC9G20LS-361AVTYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    15 402Кешбэк 2 310 баллов
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    14 776Кешбэк 2 216 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    58 540Кешбэк 8 781 балл
    SD2931-10WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174
    17 787Кешбэк 2 668 баллов
    NE651R479A-T1-AТранзистор: FET RF 8V 1.9GHZ 79A
    1 455Кешбэк 218 баллов
    AFV09P350-04NR3Транзистор: FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4
    78 227Кешбэк 11 734 балла
    BLF647P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
    43 098Кешбэк 6 464 балла
    AFT09S282NR3Транзистор: FET RF 70V 960MHZ OM-780-2
    29 620Кешбэк 4 443 балла
    BF1005E6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143
    23.2Кешбэк 3 балла
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    54Кешбэк 8 баллов
    BLF6G10LS-200RN,11Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
    22 694Кешбэк 3 404 балла
    MRF171AТранзистор: FET RF 65V 200MHZ 211-07
    14 460Кешбэк 2 169 баллов
    BLF573S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
    32 493Кешбэк 4 873 балла
    AFT23S170-13SR3Транзистор: FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S
    27 111Кешбэк 4 066 баллов
    MRF141GТранзистор: FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04
    67 781Кешбэк 10 167 баллов
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    50 632Кешбэк 7 594 балла
    MMBFJ211Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    128Кешбэк 19 баллов
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    384Кешбэк 57 баллов
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    690Кешбэк 103 балла
    BF1210,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    64Кешбэк 9 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    4 512Кешбэк 676 баллов
    PD84006L-EТранзистор: FET RF 25V 870MHZ
    1 697Кешбэк 254 балла
    BLP8G10S-45PGYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
    5 765Кешбэк 864 балла
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    15 047Кешбэк 2 257 баллов
    BLF183XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    38 905Кешбэк 5 835 баллов
    PD55003S-EТранзистор: FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    1 833Кешбэк 274 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП