Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLF189XRBU
BLF189XRBU

BLF189XRBU

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF189XRBU
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET SOT539 TRAYВсе характеристики

Минимальная цена BLF189XRBU при покупке от 1 шт 67629.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF189XRBU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF189XRBU

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    108MHz
  • Усиление
    26dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    1900W
  • Нормальное напряжение
    135 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    BLF189
Техническая документация
 BLF189XRBU.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 7 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 629 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF189XRBU
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET SOT539 TRAYВсе характеристики

Минимальная цена BLF189XRBU при покупке от 1 шт 67629.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF189XRBU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF189XRBU

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    108MHz
  • Усиление
    26dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    1900W
  • Нормальное напряжение
    135 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    BLF189
Техническая документация
 BLF189XRBU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF0910H9LS600JТранзистор: BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
    22 928Кешбэк 3 439 баллов
    GTRA362802FC-V1-R0Транзистор: 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    45 688Кешбэк 6 853 балла
    SAV-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V SC70-4
    3 077Кешбэк 461 балл
    TPIC46L02DBLEМикросхема: LOW SIDE PRE FET DRIVER
    198Кешбэк 29 баллов
    MRFX1K80NR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L
    59 918Кешбэк 8 987 баллов
    TAV1-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V TE2769
    3 077Кешбэк 461 балл
    WP2806008UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 8W
    8 314Кешбэк 1 247 баллов
    BLS9G3135LS-115UТранзистор: BLS9G3135LS-115/SOT1135/TRAY
    19 196Кешбэк 2 879 баллов
    BLC9G20LS-150PVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V SOT12753
    11 320Кешбэк 1 698 баллов
    CE3514M4Транзистор: RF FET 4V 12GHZ SOT343
    517Кешбэк 77 баллов
    MRF13750HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    188 067Кешбэк 28 210 баллов
    BLL9G1214L-600UТранзистор: BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
    54 861Кешбэк 8 229 баллов
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    394Кешбэк 59 баллов
    CPH5870-TL-ENCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
    65Кешбэк 9 баллов
    MRF24301HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS NI780H
    20 469Кешбэк 3 070 баллов
    FW261-TL-EТранзистор: NCH+NCH 4V DRIVE SERIES
    32Кешбэк 4 балла
    CLF3H0060S-30UТранзистор: CLF3H0060S-30U/SOT1227/TRAY
    47 913Кешбэк 7 186 баллов
    MCH6422-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    26Кешбэк 3 балла
    CGHV40200PP-AMP1Транзистор: 1.7-1.9GHZ, AMP W/ CGHV40200PP
    222 997Кешбэк 33 449 баллов
    BLS9G3135LS-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B
    57 349Кешбэк 8 602 балла
    GTRA263902FC-V2-R2Транзистор: 390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
    44 897Кешбэк 6 734 балла
    BLA9H0912L-250UТранзистор: BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
    54 881Кешбэк 8 232 балла
    2SK515-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    37Кешбэк 5 баллов
    CPH3337-T-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    39Кешбэк 5 баллов
    WP2806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 25W
    24 933Кешбэк 3 739 баллов
    BLP15H9S10ZТранзистор: BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    4 124Кешбэк 618 баллов
    GTVA101K42EV-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
    377 800Кешбэк 56 670 баллов
    2SJ277-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    364Кешбэк 54 балла
    PTVA120251EA-V2-R250Транзистор: IC AMP RF LDMOS
    9 939Кешбэк 1 490 баллов
    2SK3105-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    114Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП