Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF573S,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLF573S,112

BLF573S,112

BLF573S,112
;
BLF573S,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF573S,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF573S,112 при покупке от 1 шт 31073.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF573S,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF573S,112

BLF573S,112 Ampleon USA Inc.

  • Тип: RF FET LDMOS
  • Напряжение питания: 110V
  • Мощность: 27.2DB
  • Форм-фактор: SOT502B

Основные параметры:

  • Частота: Применяется для радиочастотных (RF) приложений, обычно работающих в диапазоне от нескольких МГц до несколько ГГц.
  • Эффективность: Высокая эффективность при передаче сигналов.
  • Устойчивость к перегреву: Хорошо подходит для продолжительной работы под нагрузкой.
  • Стабильность: Устойчив к изменениям температуры.

Плюсы:

  • Высокая мощность при передаче сигнала.
  • Хорошая стабильность и устойчивость к перегреву.
  • Высокая эффективность работы.
  • Простота интеграции в системы.

Минусы:

  • Требует точного регулирования напряжения питания.
  • Наличие ограничений по температуре работы.
  • Высокие требования к охлаждению.

Общее назначение:

  • Используется в системах радиосвязи, спутниковой связи, телевидения и других радиочастотных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Радиостанции.
  • Спутниковые терминалы.
  • Телевизионные трансляционные станции.
  • Мобильные базовые станции.
Выбрано: Показать

Характеристики BLF573S,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    225MHz
  • Усиление
    27.2dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    42A
  • Тестовый ток
    900 mA
  • Мощность передачи
    300W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLF573

Техническая документация

 BLF573S,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    31 073 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF573S,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF573S,112 при покупке от 1 шт 31073.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF573S,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF573S,112

BLF573S,112 Ampleon USA Inc.

  • Тип: RF FET LDMOS
  • Напряжение питания: 110V
  • Мощность: 27.2DB
  • Форм-фактор: SOT502B

Основные параметры:

  • Частота: Применяется для радиочастотных (RF) приложений, обычно работающих в диапазоне от нескольких МГц до несколько ГГц.
  • Эффективность: Высокая эффективность при передаче сигналов.
  • Устойчивость к перегреву: Хорошо подходит для продолжительной работы под нагрузкой.
  • Стабильность: Устойчив к изменениям температуры.

Плюсы:

  • Высокая мощность при передаче сигнала.
  • Хорошая стабильность и устойчивость к перегреву.
  • Высокая эффективность работы.
  • Простота интеграции в системы.

Минусы:

  • Требует точного регулирования напряжения питания.
  • Наличие ограничений по температуре работы.
  • Высокие требования к охлаждению.

Общее назначение:

  • Используется в системах радиосвязи, спутниковой связи, телевидения и других радиочастотных устройствах.

В каких устройствах применяется:

  • Радиостанции.
  • Спутниковые терминалы.
  • Телевизионные трансляционные станции.
  • Мобильные базовые станции.
Выбрано: Показать

Характеристики BLF573S,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    225MHz
  • Усиление
    27.2dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    42A
  • Тестовый ток
    900 mA
  • Мощность передачи
    300W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLF573

Техническая документация

 BLF573S,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    72 752Кешбэк 10 912 баллов
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    239 492Кешбэк 35 923 балла
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    155 981Кешбэк 23 397 баллов
    MRF8S9120NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
    16 746Кешбэк 2 511 баллов
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    66 737Кешбэк 10 010 баллов
    BLF8G09LS-400PGWQТранзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V CDFM8
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    54 987Кешбэк 8 248 баллов
    BLD6G22L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    BLF988S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    81 052Кешбэк 12 157 баллов
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    BLL6H1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
    59 274Кешбэк 8 891 балл
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    MRFE6VP5150NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
    9 574Кешбэк 1 436 баллов
    NE3510M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 4GHZ M04
    204Кешбэк 30 баллов
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 099Кешбэк 164 балла
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    224Кешбэк 33 балла
    NE3512S02-T1C-AТранзистор: HJ-FET NCH 13.5DB S02
    178Кешбэк 26 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    17 841Кешбэк 2 676 баллов
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    14 390Кешбэк 2 158 баллов
    CGHV40100FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    68 595Кешбэк 10 289 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    55 982Кешбэк 8 397 баллов
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    109 305Кешбэк 16 395 баллов
    CGHV40050FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    64 838Кешбэк 9 725 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    22 704Кешбэк 3 405 баллов
    CGH40180PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    175 560Кешбэк 26 334 балла
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    97 456Кешбэк 14 618 баллов
    CGHV59350FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    428 047Кешбэк 64 207 баллов
    MRF174Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    12 574Кешбэк 1 886 баллов
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    595Кешбэк 89 баллов
    2N4340JFET N-CH 50V TO18
    2 755Кешбэк 413 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП