Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLF578XR,112
BLF578XR,112

BLF578XR,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF578XR,112
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539AВсе характеристики

Минимальная цена BLF578XR,112 при покупке от 1 шт 82099.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF578XR,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF578XR,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    225MHz
  • Усиление
    23.5dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    1400W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    BLF578
Техническая документация
 BLF578XR,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 43 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    82 099 ₽
  • 20
    69 337 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF578XR,112
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539AВсе характеристики

Минимальная цена BLF578XR,112 при покупке от 1 шт 82099.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF578XR,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF578XR,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    225MHz
  • Усиление
    23.5dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    1400W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    BLF578
Техническая документация
 BLF578XR,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLL9G1214LS-600UТранзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
    54 010Кешбэк 8 101 балл
    CGHV35120FТранзистор: 120W, GAN HEMT, 50V, 3.1-3.5GHZ,
    60 357Кешбэк 9 053 балла
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    47 204Кешбэк 7 080 баллов
    CGH35030FТранзистор: 30W GAN HEMT 28V 6.0GHZ FLANGE
    26 484Кешбэк 3 972 балла
    BLM9D0910-05AMZBLM9D0910-05AM/LGA7X7/REELDP
    3 109Кешбэк 466 баллов
    CGHV96130FТранзистор: 100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM
    269 816Кешбэк 40 472 балла
    BLP9LA25SGZТранзистор: BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
    3 395Кешбэк 509 баллов
    BLA1011-200Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    66 290Кешбэк 9 943 балла
    AFV10700HSR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L
    129 123Кешбэк 19 368 баллов
    BLC9G20LS-160PVZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-1
    11 145Кешбэк 1 671 балл
    2SK2539-7-TB-ENCH J-FET
    70Кешбэк 10 баллов
    ECH8617-TL-EТранзистор: PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
    81Кешбэк 12 баллов
    EC4409C-TL-HNCH 1.8V DRIVE SERIES
    33Кешбэк 4 балла
    BLS9G3135L-400UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A
    66 422Кешбэк 9 963 балла
    2SK772EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    46Кешбэк 6 баллов
    MRFX600HR5Транзистор: TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
    33 903Кешбэк 5 085 баллов
    2SK3819-DL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    257Кешбэк 38 баллов
    BLP5LA55SZТранзистор: BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
    4 668Кешбэк 700 баллов
    BLP0408H9S30ZТранзистор: BLP0408H9S30/SOT1482/REELDP
    6 722Кешбэк 1 008 баллов
    BLC9G10XS-120AZТранзистор: RF LDMOS TRANS 120W SOT1273
    10 360Кешбэк 1 554 балла
    CG2H40120FТранзистор: 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2
    87 754Кешбэк 13 163 балла
    74CBTLV3126PWRМикросхема: IC LV QUAD FET BUS SW 14-TSSOP
    134Кешбэк 20 баллов
    A2V09H400-04NR3Транзистор: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    16 508Кешбэк 2 476 баллов
    2SK3092-TL-ENCH 15V DRIVE SERIES
    156Кешбэк 23 балла
    EC4404C-TLNCH 1.5V DRIVE SERIES
    18.4Кешбэк 2 балла
    IGN0912LM500Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    156 392Кешбэк 23 458 баллов
    SCH2822-TL-EТранзистор: PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES
    12.9Кешбэк 1 балл
    CPH6416-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    108Кешбэк 16 баллов
    SAV-331+Транзистор: RF MOSFET D-PHEMT 4V SC70-4
    3 030Кешбэк 454 балла
    FSS172-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    83Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП