Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF647PS,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLF647PS,112

BLF647PS,112

BLF647PS,112
;
BLF647PS,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF647PS,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121BВсе характеристики

Минимальная цена BLF647PS,112 при покупке от 1 шт 36741.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF647PS,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF647PS,112

BLF647PS,112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Уровень выходной мощности: 17 дБм
    • Форм-фактор: SOT1121B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность выходного сигнала
    • Стабильная работа в широком диапазоне температур
    • Эффективность
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специализированного оборудования для монтажа и тестирования
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах, требующих высокую выходную мощность
    • Применяется в системах связи, передаче данных и спутниковой связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы мобильной связи
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Коммуникационные системы
    • Спутниковая связь
Выбрано: Показать

Характеристики BLF647PS,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    1.3GHz
  • Усиление
    17.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    200W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1121B
  • Исполнение корпуса
    LDMOST
  • Base Product Number
    BLF647

Техническая документация

 BLF647PS,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 119 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    36 741 ₽
  • 20
    30 836 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF647PS,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121BВсе характеристики

Минимальная цена BLF647PS,112 при покупке от 1 шт 36741.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF647PS,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF647PS,112

BLF647PS,112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Уровень выходной мощности: 17 дБм
    • Форм-фактор: SOT1121B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность выходного сигнала
    • Стабильная работа в широком диапазоне температур
    • Эффективность
    • Малый размер
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специализированного оборудования для монтажа и тестирования
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах, требующих высокую выходную мощность
    • Применяется в системах связи, передаче данных и спутниковой связи
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы мобильной связи
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Коммуникационные системы
    • Спутниковая связь
Выбрано: Показать

Характеристики BLF647PS,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    1.3GHz
  • Усиление
    17.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    200W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1121B
  • Исполнение корпуса
    LDMOST
  • Base Product Number
    BLF647

Техническая документация

 BLF647PS,112.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF6G38-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A
    27 492Кешбэк 4 123 балла
    BLF882SUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B
    27 622Кешбэк 4 143 балла
    BLF7G22LS-250P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    27 795Кешбэк 4 169 баллов
    BLF7G22LS-250P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    27 795Кешбэк 4 169 баллов
    BLF2425M7LS140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    28 102Кешбэк 4 215 баллов
    BLF2425M9L30UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A
    28 831Кешбэк 4 324 балла
    BLF184XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    30 368Кешбэк 4 555 баллов
    BLF184XRGQТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214C
    30 368Кешбэк 4 555 баллов
    BLF2425M8L140UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A
    31 064Кешбэк 4 659 баллов
    BLF882UТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502A
    32 068Кешбэк 4 810 баллов
    BLF573S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
    34 763Кешбэк 5 214 баллов
    BLF573,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST
    34 763Кешбэк 5 214 баллов
    BLF884PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
    35 847Кешбэк 5 377 баллов
    BLF884P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A
    35 847Кешбэк 5 377 баллов
    BLS6G2735LS-30,112Транзистор
    36 292Кешбэк 5 443 балла
    BLF879PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    36 395Кешбэк 5 459 баллов
    BLF174XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A
    36 496Кешбэк 5 474 балла
    BLF647PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    36 741Кешбэк 5 511 баллов
    BLF644PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A
    38 375Кешбэк 5 756 баллов
    BLF183XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    39 020Кешбэк 5 853 балла
    BLF881S,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST
    39 255Кешбэк 5 888 баллов
    BLF10H6600PSUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    39 578Кешбэк 5 936 баллов
    BLS6G2731S-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B
    42 864Кешбэк 6 429 баллов
    BLF184XRUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A
    42 903Кешбэк 6 435 баллов
    BLF878,112Транзистор: RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A
    44 177Кешбэк 6 626 баллов
    BLS6G2735L-30,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A
    46 350Кешбэк 6 952 балла
    BLF879P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    46 478Кешбэк 6 971 балл
    BLF184XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B
    46 614Кешбэк 6 992 балла
    BLL6H0514L-130,112Транзистор
    47 030Кешбэк 7 054 балла
    BLF574XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A
    49 268Кешбэк 7 390 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП