BLF6G10LS-200RN,11

BLF6G10LS-200RN, 11 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

• Основные параметры:
• Тип: RF FET LDMOS
• Номинальное напряжение: 65В
• Уровень выходной мощности: 20 дБм
• Форм-фактор: SOT502B
• Плюсы:
• Высокая выходная мощность
• Устойчивость к высоким напряжениям
• Высокая надежность и долговечность
• Малый размер и легкий вес
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует специального охлаждения при работе на максимальной мощности
• Общее назначение:
• Используется в радиоэлектронных устройствах для усиления сигналов
• Подходит для применения в системах мобильной связи, телевещания и радиолокации
• В каких устройствах применяется:
• Системы передачи и приема сигналов в мобильной связи
• Телевизионные передатчики
• Радиолокационные системы
• Маршрутизаторы и точки доступа Wi-Fi
• Системы спутниковой связи