Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF6G38-10G,112
BLF6G38-10G,112

BLF6G38-10G,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLF6G38-10G,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975CВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G38-10G,112 при покупке от 10 шт 5867.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G38-10G,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G38-10G,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    3.1A
  • Тестовый ток
    130 mA
  • Мощность передачи
    2W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-975C
  • Исполнение корпуса
    CDFM2
  • Base Product Number
    BLF6G38
Техническая документация
 BLF6G38-10G,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 180 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 10
    5 867 ₽

Минимально и кратно 10 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLF6G38-10G,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975CВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G38-10G,112 при покупке от 10 шт 5867.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G38-10G,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G38-10G,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    3.1A
  • Тестовый ток
    130 mA
  • Мощность передачи
    2W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-975C
  • Исполнение корпуса
    CDFM2
  • Base Product Number
    BLF6G38
Техническая документация
 BLF6G38-10G,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF136Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    MRF8HP21130HR5Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    3SK294(TE85L,F)Транзистор: FET RF 12.5V 500MHZ USQ
    STAC2943Транзистор
    MRF140Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    MRF6S20010GNR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
    VRF150Транзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    BLF6G20LS-110,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    BLF8G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    A2T21H360-24SR6Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    ARF475FLТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 10A
    BLF8G24LS-150GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    MRF275GТранзистор: FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04
    MRF6S19060NBR1Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    BF1102,115Транзистор: FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP
    BF1210,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    BLF8G20LS-400PGVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    BLF8G20LS-400PVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    MMRF1306HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    MWT-773Транзистор: FET RF 5V 26GHZ PKG 73
    PD54008L-EТранзистор: TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    BLF7G10LS-250,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
    BLL6H1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
    MRF166CТранзистор: FET RF 65V 500MHZ 319-07

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП