Вход/Регистрация
BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
BLF7G10LS-250,112
BLF7G10LS-250,112
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF7G10LS-250,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502BВсе характеристики
Минимальная цена BLF7G10LS-250,112 при покупке от 3 шт 22031.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF7G10LS-250,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 55 шт3-6 недель
Минимально и кратно 3 шт
- КоличествоЦена
- 322 031 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF7G10LS-250,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502BВсе характеристики
Минимальная цена BLF7G10LS-250,112 при покупке от 3 шт 22031.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF7G10LS-250,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание BLF7G10LS-250,112
BLF7G10LS-250,112 — это радиотехнический транзистор типа RF FET LDMOS с напряжением разрыва 65В и мощностью выходного сигнала 19.5dB.
- Основные параметры:
- Напряжение разрыва: 65В
- Мощность выходного сигнала: 19.5dB
- Форма корпуса: SOT502B
- Плюсы:
- Высокая мощность
- Устойчивость к высоким напряжениям
- Высокая эффективность
- Компактный размер
- Минусы:
- Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
- Требуется точная настройка и подключение
- Общее назначение:
- Использование в радиоустановках
- Телекоммуникационных устройствах
- Мобильных базовых станциях
- Применяется в:
- Системах мобильной связи
- Телевизионных передачах
- Базовых станциях радиостанций
Выбрано: Показать
Характеристики BLF7G10LS-250,112
Техническая документация
BLF7G10LS-250,112.pdf pdf. 0 kb
Минимально и кратно 3 шт