Вход/Регистрация
MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
BLF7G24LS-100,112
BLF7G24LS-100,112
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF7G24LS-100,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502BВсе характеристики
Минимальная цена BLF7G24LS-100,112 при покупке от 5 шт 12091.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF7G24LS-100,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 132 шт3-6 недель
Минимально и кратно 5 шт
- КоличествоЦена
- 512 091 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF7G24LS-100,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502BВсе характеристики
Минимальная цена BLF7G24LS-100,112 при покупке от 5 шт 12091.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF7G24LS-100,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание BLF7G24LS-100,112
BLF7G24LS-100,112 Ampleon USA Inc.
- Тип: RF FET LDMOS (силовой полупроводниковый транзистор)
- Номинальное напряжение: 65В
- Диапазон выходной мощности: 18 дБм
- Форм-фактор: SOT502B
Основные параметры:
- Высокая эффективность и надежность
- Спектрная чистота
- Устойчивость к перегрузкам
- Малый размер и легкий вес
Плюсы:
- Высокая мощность: способность выдавать до 18 дБм мощности
- Эффективность: высокая энергоэффективность
- Устойчивость: к перегрузкам и воздействиям внешней среды
- Миниатюрность: компактный размер и легкий вес
Минусы:
- Цена: относительно высокая стоимость из-за сложности производства
- Температурный диапазон: ограниченный, требует охлаждения при высоких нагрузках
Общее назначение:
- Использование в радиоэлектронных устройствах
- Антеннах и передающих станциях
- Системах спутниковой связи
- Мобильной и стационарной радиосвязи
Выбрано: Показать
Характеристики BLF7G24LS-100,112
Техническая документация
BLF7G24LS-100,112.pdf pdf. 0 kb
Минимально и кратно 5 шт