BLF884P,112

BLF884P,112 Ampleon USA Inc.

• Тип: RF FET LDMOS
• Номинальное напряжение питания: 104В
• Максимальная выходная мощность: 21дБм
• Форм-фактор: SOT1121A

Основные параметры:

• Высокая мощность: способность обрабатывать до 21дБм мощности
• Устойчивость к перегрузкам: способность работать при высоких уровнях входного сигнала без повреждения
• Эффективность: высокая энергоэффективность благодаря использованию технологии LDMOS
• Стабильность: низкое изменение выходной мощности при изменении температуры и частоты

Плюсы:

• Высокая мощность и стабильность работы
• Устойчивость к перегрузкам
• Энергоэффективность
• Простота интеграции в системы

Минусы:

• Высокое потребление энергии по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует специализированного оборудования для монтажа из-за размеров и тепловых характеристик

Общее назначение:

• Используется в системах передачи сигналов на радиочастоте (RF)
• Подходит для применения в мобильных сетях, спутниковых системах, радиоэлектронике и других областях, требующих высокую выходную мощность

В каких устройствах применяется:

• Мобильные сети (3G, 4G, 5G)
• Спутниковая связь
• Радиолокация и радары
• Радиоуправляемые устройства
• Радиоприемники и передатчики