Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF888DSU
  • В избранное
  • В сравнение
BLF888DSU

BLF888DSU

BLF888DSU
;
BLF888DSU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF888DSU
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLF888DSU при покупке от 1 шт 51418.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF888DSU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF888DSU

BLF888DSU Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение питания (VDS): 104В
    • Удельная мощность (Pmax): 21дБ
    • Форм-фактор: SOT539B
    • Тип: RF FET LDMOS
  • Плюсы:
    • Высокая удельная мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Высокая эффективность
    • Надежность при работе в сложных условиях
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и теплоотводу
    • Стоимость
    • Размеры могут быть ограничены для некоторых применений
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах
    • Радиостанции
    • Радары
    • Датчики движения
    • Телевизионные передатчики
  • В каких устройствах применяется:
    • Аналоговые и цифровые радиочастотные системы
    • Коммуникационные системы
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильные радары
    • Промышленные системы контроля и измерения
Выбрано: Показать

Характеристики BLF888DSU

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    860MHz
  • Усиление
    21dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    1.3 A
  • Мощность передачи
    250W
  • Нормальное напряжение
    104 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B
  • Base Product Number
    BLF888

Техническая документация

 BLF888DSU.pdf
pdf. 0 kb
  • 40 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    51 418 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF888DSU
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLF888DSU при покупке от 1 шт 51418.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF888DSU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF888DSU

BLF888DSU Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение питания (VDS): 104В
    • Удельная мощность (Pmax): 21дБ
    • Форм-фактор: SOT539B
    • Тип: RF FET LDMOS
  • Плюсы:
    • Высокая удельная мощность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Высокая эффективность
    • Надежность при работе в сложных условиях
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и теплоотводу
    • Стоимость
    • Размеры могут быть ограничены для некоторых применений
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных системах
    • Радиостанции
    • Радары
    • Датчики движения
    • Телевизионные передатчики
  • В каких устройствах применяется:
    • Аналоговые и цифровые радиочастотные системы
    • Коммуникационные системы
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильные радары
    • Промышленные системы контроля и измерения
Выбрано: Показать

Характеристики BLF888DSU

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    860MHz
  • Усиление
    21dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    1.3 A
  • Мощность передачи
    250W
  • Нормальное напряжение
    104 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B
  • Base Product Number
    BLF888

Техническая документация

 BLF888DSU.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    51 418Кешбэк 7 712 баллов
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    52 140Кешбэк 7 821 балл
    BLF6G13LS-250PGJТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E
    58 859Кешбэк 8 828 баллов
    BLF888AS,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
    59 093Кешбэк 8 863 балла
    BLS6G2731-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
    59 982Кешбэк 8 997 баллов
    BLF888,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A
    60 190Кешбэк 9 028 баллов
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    62 378Кешбэк 9 356 баллов
    BLL6H1214LS-250,11Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
    63 577Кешбэк 9 536 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    65 664Кешбэк 9 849 баллов
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    67 446Кешбэк 10 116 баллов
    BLL8H0514-25UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
    68 276Кешбэк 10 241 балл
    BLA6G1011-200R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    73 229Кешбэк 10 984 балла
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    74 859Кешбэк 11 228 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    86 007Кешбэк 12 901 балл
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    98 143Кешбэк 14 721 балл
    BLA8G1011LS-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    98 143Кешбэк 14 721 балл
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    130 794Кешбэк 19 619 баллов
    BLA6H0912-500,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
    172 735Кешбэк 25 910 баллов
    BLS7G3135L-350P,11Транзистор
    176 747Кешбэк 26 512 баллов
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    176 747Кешбэк 26 512 баллов
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    186 108Кешбэк 27 916 баллов
    BLA6H0912LS-1000UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
    237 677Кешбэк 35 651 балл
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    782Кешбэк 117 баллов
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    1 325Кешбэк 198 баллов
    MHT1008NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS PLD1.5W
    2 943Кешбэк 441 балл
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 900Кешбэк 585 баллов
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 343Кешбэк 651 балл
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    4 533Кешбэк 679 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    5 021Кешбэк 753 балла
    AFT09MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
    5 720Кешбэк 858 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП