Вход/Регистрация
BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
BLF8G24LS-200P,112
BLF8G24LS-200P,112
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF8G24LS-200P,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539BВсе характеристики
Минимальная цена BLF8G24LS-200P,112 при покупке от 2 шт 27831.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF8G24LS-200P,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 120 шт3-6 недель
Минимально и кратно 2 шт
- КоличествоЦена
- 227 831 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF8G24LS-200P,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539BВсе характеристики
Минимальная цена BLF8G24LS-200P,112 при покупке от 2 шт 27831.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF8G24LS-200P,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание BLF8G24LS-200P,112
BLF8G24LS-200P, 112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
- Основные параметры:
- Тип: RF FET LDMOS
- Номинальное напряжение: 65В
- Динамический диапазон выходной мощности: 17.2 дБ
- Форм-фактор: SOT539B
- Плюсы:
- Высокая мощность
- Устойчивость к перегрузкам
- Высокая эффективность
- Малый размер
- Минусы:
- Высокие требования к охлаждению при высокой мощности
- Сложность в использовании для новичков
- Общее назначение:
- Радиоэлектронные устройства
- Системы передачи сигнала
- Мобильные базовые станции
- Станции спутниковой связи
- Применение:
- Радиостанции
- Антенны
- Коммуникационные системы
- Маршрутизаторы и модемы
Выбрано: Показать
Характеристики BLF8G24LS-200P,112
Техническая документация
BLF8G24LS-200P,112.pdf pdf. 0 kb
Минимально и кратно 2 шт