Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BLF8G27LS-100J

BLF8G27LS-100J

BLF8G27LS-100J
;
BLF8G27LS-100J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF8G27LS-100J
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF8G27LS-100J при покупке от 5 шт 11540.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF8G27LS-100J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF8G27LS-100J

BLF8G27LS-100J Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 65В
    • Удельная мощность (Pd): 17 дБ
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Объемный тип: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Низкий коэффициент затухания
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость благодаря использованию SOT502B оболочки
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах и радиоэлектронных устройствах
    • Коммуникационное оборудование для мобильной связи и телевидения
    • Радарные системы
    • Системы управления ракетами и спутниками
  • В каких устройствах применяется:
    • Станции передачи и приема сигнала
    • Радиоприемники и радиопередатчики
    • Системы спутниковой связи
    • Радарные станции
    • Мобильные телефоны и базовые станции
Выбрано: Показать

Характеристики BLF8G27LS-100J

Техническая документация

BLF8G27LS-100J.pdf
pdf. 0 kb
  • 221 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 5 шт
  • Количество
    Цена
  • 5
    11 540 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF8G27LS-100J
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF8G27LS-100J при покупке от 5 шт 11540.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF8G27LS-100J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF8G27LS-100J

BLF8G27LS-100J Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 65В
    • Удельная мощность (Pd): 17 дБ
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Объемный тип: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Низкий коэффициент затухания
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость благодаря использованию SOT502B оболочки
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за высокой мощности
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиосистемах и радиоэлектронных устройствах
    • Коммуникационное оборудование для мобильной связи и телевидения
    • Радарные системы
    • Системы управления ракетами и спутниками
  • В каких устройствах применяется:
    • Станции передачи и приема сигнала
    • Радиоприемники и радиопередатчики
    • Системы спутниковой связи
    • Радарные станции
    • Мобильные телефоны и базовые станции
Выбрано: Показать

Характеристики BLF8G27LS-100J

Техническая документация

BLF8G27LS-100J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 5 шт