Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF988S,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLF988S,112

BLF988S,112

BLF988S,112
;
BLF988S,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLF988S,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLF988S,112 при покупке от 1 шт 83106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF988S,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF988S,112

BLF988S, 112 NXP USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 110В
    • Потребляемая мощность: 20.8дБ
    • Форм-фактор: SOT539B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность передачи
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долговечность
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует точной регулировки и настройки для достижения максимальной эффективности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоприемниках и передающих устройствах высокой мощности
    • Подходит для применения в системах спутниковой связи
    • Способствует улучшению качества передачи сигнала в мобильных коммуникациях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие гаджеты с поддержкой 4G/5G
    • Спутниковые терминалы
    • Беспроводные базовые станции
    • Радиостанции и системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLF988S,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    860MHz
  • Усиление
    20.8dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    1.3 A
  • Мощность передачи
    250W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B

Техническая документация

 BLF988S,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 20 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    83 106 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLF988S,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLF988S,112 при покупке от 1 шт 83106.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF988S,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF988S,112

BLF988S, 112 NXP USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 110В
    • Потребляемая мощность: 20.8дБ
    • Форм-фактор: SOT539B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность передачи
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долговечность
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует точной регулировки и настройки для достижения максимальной эффективности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоприемниках и передающих устройствах высокой мощности
    • Подходит для применения в системах спутниковой связи
    • Способствует улучшению качества передачи сигнала в мобильных коммуникациях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие гаджеты с поддержкой 4G/5G
    • Спутниковые терминалы
    • Беспроводные базовые станции
    • Радиостанции и системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLF988S,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    860MHz
  • Усиление
    20.8dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    1.3 A
  • Мощность передачи
    250W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B

Техническая документация

 BLF988S,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF8S21100HSR3Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
    21 864Кешбэк 3 279 баллов
    AFT18S230SR3Транзистор: FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6
    21 931Кешбэк 3 289 баллов
    AFT09S282NR3Транзистор: FET RF 70V 960MHZ OM-780-2
    29 043Кешбэк 4 356 баллов
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    32 476Кешбэк 4 871 балл
    MRFE6VP6600NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V OM780-4
    32 918Кешбэк 4 937 баллов
    A2T21H360-24SR6Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    41 451Кешбэк 6 217 баллов
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    46 717Кешбэк 7 007 баллов
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    56 380Кешбэк 8 457 баллов
    MRFE6VP5600HR6Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    61 838Кешбэк 9 275 баллов
    MRF6VP2600HR5Транзистор: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
    67 673Кешбэк 10 150 баллов
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    68 427Кешбэк 10 264 балла
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    74 595Кешбэк 11 189 баллов
    BLF988S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    83 106Кешбэк 12 465 баллов
    MRF6V12500HR5Транзистор: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
    179 677Кешбэк 26 951 балл
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    245 559Кешбэк 36 833 балла
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    1 990Кешбэк 298 баллов
    AFT20S015GNR1Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
    6 531Кешбэк 979 баллов
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    7 062Кешбэк 1 059 баллов
    MRFE6VP5150NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
    16 516Кешбэк 2 477 баллов
    NE3512S02-T1C-AТранзистор: HJ-FET NCH 13.5DB S02
    182Кешбэк 27 баллов
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    230Кешбэк 34 балла
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 126Кешбэк 168 баллов
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    14 754Кешбэк 2 213 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    18 293Кешбэк 2 743 балла
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    23 283Кешбэк 3 492 балла
    CGH55015F2Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    28 087Кешбэк 4 213 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    57 400Кешбэк 8 610 баллов
    CGHV40100FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    67 763Кешбэк 10 164 балла
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    101 927Кешбэк 15 289 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП