Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF988S,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLF988S,112

BLF988S,112

BLF988S,112
;
BLF988S,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLF988S,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLF988S,112 при покупке от 1 шт 81052.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF988S,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF988S,112

BLF988S, 112 NXP USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 110В
    • Потребляемая мощность: 20.8дБ
    • Форм-фактор: SOT539B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность передачи
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долговечность
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует точной регулировки и настройки для достижения максимальной эффективности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоприемниках и передающих устройствах высокой мощности
    • Подходит для применения в системах спутниковой связи
    • Способствует улучшению качества передачи сигнала в мобильных коммуникациях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие гаджеты с поддержкой 4G/5G
    • Спутниковые терминалы
    • Беспроводные базовые станции
    • Радиостанции и системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLF988S,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    860MHz
  • Усиление
    20.8dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    1.3 A
  • Мощность передачи
    250W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B

Техническая документация

 BLF988S,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 20 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    81 052 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLF988S,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLF988S,112 при покупке от 1 шт 81052.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF988S,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF988S,112

BLF988S, 112 NXP USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 110В
    • Потребляемая мощность: 20.8дБ
    • Форм-фактор: SOT539B
  • Плюсы:
    • Высокая мощность передачи
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долговечность
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует точной регулировки и настройки для достижения максимальной эффективности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоприемниках и передающих устройствах высокой мощности
    • Подходит для применения в системах спутниковой связи
    • Способствует улучшению качества передачи сигнала в мобильных коммуникациях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие гаджеты с поддержкой 4G/5G
    • Спутниковые терминалы
    • Беспроводные базовые станции
    • Радиостанции и системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLF988S,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    860MHz
  • Усиление
    20.8dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    1.3 A
  • Мощность передачи
    250W
  • Нормальное напряжение
    110 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B

Техническая документация

 BLF988S,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    548Кешбэк 82 балла
    2SK209-BL(TE85L,F)Транзистор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    115Кешбэк 17 баллов
    2SK209-Y(TE85L,F)MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
    115Кешбэк 17 баллов
    RFM01U7P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    645Кешбэк 96 баллов
    RFM04U6P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    689Кешбэк 103 балла
    2SK209-GR(TE85L,F)Тиристор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    99Кешбэк 14 баллов
    BF1202WR,135Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1201WR,135MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    65Кешбэк 9 баллов
    BF1201WR,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1100WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1205,115Транзистор: FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP
    67Кешбэк 10 баллов
    BF1108,215Транзистор: IC RF SWITCH SOT143B
    74Кешбэк 11 баллов
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    719Кешбэк 107 баллов
    BF1102,115Транзистор: FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP
    74Кешбэк 11 баллов
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    1 925Кешбэк 288 баллов
    BF1216,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    BF1206,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    89Кешбэк 13 баллов
    BF1210,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    BF1100R,215Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BF1203,115Транзистор: FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP
    76Кешбэк 11 баллов
    BF1202R,215Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
    52Кешбэк 7 баллов
    BF904AR,215Транзистор: MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
    46Кешбэк 6 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    4 617Кешбэк 692 балла
    MMRF1014NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    3 570Кешбэк 535 баллов
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    16 472Кешбэк 2 470 баллов
    AFT27S006NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V PLD1.5W
    3 474Кешбэк 521 балл
    MW7IC2020NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V 24PQFN
    11 653Кешбэк 1 747 баллов
    AFT05MP075GNR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
    5 951Кешбэк 892 балла
    AFT09MP055NR1Транзистор: FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270
    6 866Кешбэк 1 029 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП