Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLF989EU
BLF989EU

BLF989EU

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF989EU
  • Описание:
    Транзистор: BLF989E/SOT539/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена BLF989EU при покупке от 1 шт 46826.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF989EU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF989EU

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    470MHz ~ 700MHz
  • Усиление
    20dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    600 mA
  • Мощность передачи
    1000W
  • Нормальное напряжение
    108 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    BLF989

Техническая документация

 BLF989EU.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 56 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    46 826 ₽
  • 20
    38 909 ₽
  • 40
    37 847 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF989EU
  • Описание:
    Транзистор: BLF989E/SOT539/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена BLF989EU при покупке от 1 шт 46826.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF989EU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF989EU

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    470MHz ~ 700MHz
  • Усиление
    20dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    2.8µA
  • Тестовый ток
    600 mA
  • Мощность передачи
    1000W
  • Нормальное напряжение
    108 V
  • Корпус
    SOT-539A
  • Исполнение корпуса
    SOT539A
  • Base Product Number
    BLF989

Техническая документация

 BLF989EU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK2539-7-TB-ENCH J-FET
    69Кешбэк 10 баллов
    CLF3H0060-30UТранзистор: CLF3H0060-30U/SOT1227/TRAY
    46 665Кешбэк 6 999 баллов
    CG2H30070FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V
    93 847Кешбэк 14 077 баллов
    NE3513M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    216Кешбэк 32 балла
    UPA570T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    49Кешбэк 7 баллов
    CPH5819-TL-ENCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    31Кешбэк 4 балла
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    147Кешбэк 22 балла
    BLF13H9L750PUТранзистор: BLF13H9L750P/SOT539/TRAY
    32 531Кешбэк 4 879 баллов
    BLC9G10XS-120AZТранзистор: RF LDMOS TRANS 120W SOT1273
    10 249Кешбэк 1 537 баллов
    BLP5LA55SZТранзистор: BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
    4 618Кешбэк 692 балла
    SAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    3 295Кешбэк 494 балла
    ON5233,118Транзистор: ON5233 - RF MOSFET
    111Кешбэк 16 баллов
    BLL9G1214LS-600UТранзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
    53 432Кешбэк 8 014 баллов
    TA9310EPA RF GAN PWR 20W .03-4GHZ 32V
    10 587Кешбэк 1 588 баллов
    WP2806008UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 8W
    8 097Кешбэк 1 214 баллов
    FSS173-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    102Кешбэк 15 баллов
    BLC9G24XS-170AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753
    10 796Кешбэк 1 619 баллов
    SCH1402-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    20Кешбэк 3 балла
    BLC9G20XS-400AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16.2DB SOT1258
    12 863Кешбэк 1 929 баллов
    94-2402Транзистор: IRF530 - 400V HEXFET, N-CHANNEL
    456Кешбэк 68 баллов
    MRF101BNТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
    7 503Кешбэк 1 125 баллов
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    384Кешбэк 57 баллов
    BLF0910H9LS600JТранзистор: BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
    22 331Кешбэк 3 349 баллов
    BLP05H6110XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    8 065Кешбэк 1 209 баллов
    TA9110KPA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V
    4 544Кешбэк 681 балл
    MCH6305-H-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    33Кешбэк 4 балла
    BLF189XRBUТранзистор: RF MOSFET SOT539 TRAY
    65 867Кешбэк 9 880 баллов
    BLA9H0912LS-250UТранзистор: BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
    39 193Кешбэк 5 878 баллов
    TAV-551+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 745Кешбэк 411 баллов
    MTP27N06LТранзистор: NFET T0220 100V 0.07R
    96Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП