Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLL6H0514L-130,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLL6H0514L-130,112

BLL6H0514L-130,112

BLL6H0514L-130,112
;
BLL6H0514L-130,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLL6H0514L-130,112
  • Описание:
    Транзистор

Минимальная цена BLL6H0514L-130,112 при покупке от 1 шт 48794.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLL6H0514L-130,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLL6H0514L-130,112

BLL6H0514L-130,112 — это транзистор, предназначенный для работы в радиочастотном диапазоне. Продукт производится компанией Ampleon USA Inc.

  • Основные параметры:
    • Номинальная мощность: 130 Ватт
    • Выходная мощность: 112 Ватт
    • Диапазон частот: 6 ГГц
    • Тип транзистора: GaAs HEMT (Галлий-арсениевая куполообразная полупроводниковая трубка)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность и надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Уменьшенное потребление энергии по сравнению с другими типами транзисторов
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуется специальное оборудование для монтажа и обслуживания

Общее назначение: Этот транзистор используется для усиления сигналов в радиочастотном диапазоне. Он применяется в таких устройствах, как:

  • Радиостанции и мобильные станции связи
  • Телевизионные трансляционные системы
  • Системы спутниковой связи
  • Беспроводные системы передачи данных

Техническая документация

 BLL6H0514L-130,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    48 794 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLL6H0514L-130,112
  • Описание:
    Транзистор

Минимальная цена BLL6H0514L-130,112 при покупке от 1 шт 48794.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLL6H0514L-130,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLL6H0514L-130,112

BLL6H0514L-130,112 — это транзистор, предназначенный для работы в радиочастотном диапазоне. Продукт производится компанией Ampleon USA Inc.

  • Основные параметры:
    • Номинальная мощность: 130 Ватт
    • Выходная мощность: 112 Ватт
    • Диапазон частот: 6 ГГц
    • Тип транзистора: GaAs HEMT (Галлий-арсениевая куполообразная полупроводниковая трубка)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность и надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Уменьшенное потребление энергии по сравнению с другими типами транзисторов
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуется специальное оборудование для монтажа и обслуживания

Общее назначение: Этот транзистор используется для усиления сигналов в радиочастотном диапазоне. Он применяется в таких устройствах, как:

  • Радиостанции и мобильные станции связи
  • Телевизионные трансляционные системы
  • Системы спутниковой связи
  • Беспроводные системы передачи данных

Техническая документация

 BLL6H0514L-130,112.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF7G27L-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
    15 479Кешбэк 2 321 балл
    BLF8G24LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
    15 726Кешбэк 2 358 баллов
    BLF8G27LS-150GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    15 726Кешбэк 2 358 баллов
    BLF8G27LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    15 726Кешбэк 2 358 баллов
    BLF8G24LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
    15 726Кешбэк 2 358 баллов
    BLF7G24LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 743Кешбэк 2 361 балл
    BLF7G27LS-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B
    16 095Кешбэк 2 414 баллов
    BLF8G10LS-270,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    16 355Кешбэк 2 453 балла
    BLF7G20LS-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
    16 388Кешбэк 2 458 баллов
    BLF8G27LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G22LS-205VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    17 418Кешбэк 2 612 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    18 244Кешбэк 2 736 баллов
    BLF8G09LS-400PWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G09LS-400PWUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PGVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    18 482Кешбэк 2 772 балла
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    18 575Кешбэк 2 786 баллов
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    19 174Кешбэк 2 876 баллов
    BLF6G10LS-200RN:11RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
    19 535Кешбэк 2 930 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП