Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLL9G1214LS-600U
  • В избранное
  • В сравнение
BLL9G1214LS-600U

BLL9G1214LS-600U

BLL9G1214LS-600U
;
BLL9G1214LS-600U

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLL9G1214LS-600U
  • Описание:
    Транзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена BLL9G1214LS-600U при покупке от 1 шт 54463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLL9G1214LS-600U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLL9G1214LS-600U

BLL9G1214LS-600U Ampleon USA Inc. Транзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY

  • Основные параметры:
    • Модель: BLL9G1214LS-600
    • Тип: СИП (Силовой интегральный полупроводниковый) транзистор
    • Оболочка: SOT502 (трay)
    • Рейтинг мощности: 600 В
    • Частота: до 12 GHz
    • Технология: GaN (Галлийный азотид)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы при высоких частотах
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
    • Низкое сопротивление шунта
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуется специальное оборудование для монтажа
    • Требует более сложного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Усилители высокочастотных сигналов
    • Спутниковые системы
    • Радиосвязь
    • Мобильные радиостанции
    • Импульсные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Коммуникационные системы
    • Спутниковые телевещание и прием
    • Маршрутизаторы и антенны
    • Импульсные генераторы
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BLL9G1214LS-600U

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.2GHz ~ 1.4GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    5µA
  • Тестовый ток
    400 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLL9

Техническая документация

 BLL9G1214LS-600U.pdf
pdf. 0 kb
  • 60 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    54 463 ₽
  • 20
    45 435 ₽
  • 40
    44 225 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLL9G1214LS-600U
  • Описание:
    Транзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAYВсе характеристики

Минимальная цена BLL9G1214LS-600U при покупке от 1 шт 54463.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLL9G1214LS-600U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLL9G1214LS-600U

BLL9G1214LS-600U Ampleon USA Inc. Транзистор: BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY

  • Основные параметры:
    • Модель: BLL9G1214LS-600
    • Тип: СИП (Силовой интегральный полупроводниковый) транзистор
    • Оболочка: SOT502 (трay)
    • Рейтинг мощности: 600 В
    • Частота: до 12 GHz
    • Технология: GaN (Галлийный азотид)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы при высоких частотах
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
    • Низкое сопротивление шунта
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуется специальное оборудование для монтажа
    • Требует более сложного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Усилители высокочастотных сигналов
    • Спутниковые системы
    • Радиосвязь
    • Мобильные радиостанции
    • Импульсные системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Коммуникационные системы
    • Спутниковые телевещание и прием
    • Маршрутизаторы и антенны
    • Импульсные генераторы
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BLL9G1214LS-600U

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.2GHz ~ 1.4GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    5µA
  • Тестовый ток
    400 mA
  • Мощность передачи
    600W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLL9

Техническая документация

 BLL9G1214LS-600U.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    WP4806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 48V DC ~ 6GHZ, 25W
    25 268Кешбэк 3 790 баллов
    WP2806045UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W
    28 047Кешбэк 4 207 баллов
    WPGM0206012Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    92 633Кешбэк 13 894 балла
    WPGM1517050Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    173 687Кешбэк 26 053 балла
    SP6122ACUМикросхема: LOW VOLTAGE PFET BUCK CONTROLLER
    91Кешбэк 13 баллов
    2SK1482-T-AZSMALL SIGNAL FET
    111Кешбэк 16 баллов
    MRF300ANТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    14 110Кешбэк 2 116 баллов
    MRF1K50HR5Транзистор: HIGH POWER RF TRANSISTOR
    71 219Кешбэк 10 682 балла
    2SK2552-T1-ASMALL SIGNAL FET
    41Кешбэк 6 баллов
    2SK853A(1)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    43Кешбэк 6 баллов
    2SK3718-T1-AТранзистор: N-CHANNEL J-FET
    44.5Кешбэк 6 баллов
    2SK852-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK852-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA608T(0)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA608T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA509TA-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    54Кешбэк 8 баллов
    2SK3230-T1-ASMALL SIGNAL FET
    59Кешбэк 8 баллов
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    65Кешбэк 9 баллов
    2SK3105-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    135Кешбэк 20 баллов
    NE3515S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    163Кешбэк 24 балла
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    178Кешбэк 26 баллов
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    196Кешбэк 29 баллов
    NE3513M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    220Кешбэк 33 балла
    NE3503M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    224Кешбэк 33 балла
    NE3517S03-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    308Кешбэк 46 баллов
    2SK3113-Z-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    322Кешбэк 48 баллов
    MWT-PH33FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    3 211Кешбэк 481 балл
    MWT-5FТранзистор: GAAS MESFET
    12 933Кешбэк 1 939 баллов
    MWT-PH8FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    16 024Кешбэк 2 403 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП