Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLM7G1822S-40PBGY
  • В избранное
  • В сравнение
BLM7G1822S-40PBGY

BLM7G1822S-40PBGY

BLM7G1822S-40PBGY
;
BLM7G1822S-40PBGY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM7G1822S-40PBGY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121Все характеристики

Минимальная цена BLM7G1822S-40PBGY при покупке от 1 шт 7878.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM7G1822S-40PBGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM7G1822S-40PBGY

BLM7G1822S-40PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121

  • Основные параметры:
    • Модель: BLM7G1822S-40PBGY
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Тип: RF FET LDMOS (Lateral Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor)
    • Напряжение: 65В
    • Потребляемая мощность: 31.5dBm
    • Форм-фактор: SOT12121
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Высокая надежность
    • Малый размер и легкость интеграции в устройства
  • Минусы:
    • Высокие требования к условиям охлаждения
    • Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов
  • Общее назначение:
    • Используется в радиосвязи и передаче данных
    • Активные элементы в радиоустановках и системах мобильной связи
    • Коммуникационное оборудование для широкополосной передачи данных
  • Применяется в:
    • Сотовой связи
    • Радиолокационной технике
    • Радиопередающих станциях
    • Системах спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLM7G1822S-40PBGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.81GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    31.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1212-3
  • Исполнение корпуса
    16-HSOP
  • Base Product Number
    BLM7

Техническая документация

 BLM7G1822S-40PBGY.pdf
pdf. 0 kb
  • 145 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 878 ₽
  • 10
    6 896 ₽
  • 25
    6 556 ₽
  • 100
    5 106 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM7G1822S-40PBGY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121Все характеристики

Минимальная цена BLM7G1822S-40PBGY при покупке от 1 шт 7878.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM7G1822S-40PBGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM7G1822S-40PBGY

BLM7G1822S-40PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121

  • Основные параметры:
    • Модель: BLM7G1822S-40PBGY
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Тип: RF FET LDMOS (Lateral Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor)
    • Напряжение: 65В
    • Потребляемая мощность: 31.5dBm
    • Форм-фактор: SOT12121
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к шумам и помехам
    • Высокая надежность
    • Малый размер и легкость интеграции в устройства
  • Минусы:
    • Высокие требования к условиям охлаждения
    • Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов
  • Общее назначение:
    • Используется в радиосвязи и передаче данных
    • Активные элементы в радиоустановках и системах мобильной связи
    • Коммуникационное оборудование для широкополосной передачи данных
  • Применяется в:
    • Сотовой связи
    • Радиолокационной технике
    • Радиопередающих станциях
    • Системах спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLM7G1822S-40PBGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.81GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    31.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    4W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1212-3
  • Исполнение корпуса
    16-HSOP
  • Base Product Number
    BLM7

Техническая документация

 BLM7G1822S-40PBGY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF573S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
    31 073Кешбэк 4 660 баллов
    AFT20P140-4WNR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V OM780-4
    17 417Кешбэк 2 612 баллов
    A2T21H360-24SR6Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    40 427Кешбэк 6 064 балла
    AFT21S140W02SR3Транзистор
    25 055Кешбэк 3 758 баллов
    AFT09S282NR3Транзистор: FET RF 70V 960MHZ OM-780-2
    28 325Кешбэк 4 248 баллов
    MRF8P8300HSR6Транзистор: FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S
    10 116Кешбэк 1 517 баллов
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    45 563Кешбэк 6 834 балла
    AFT09MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
    5 312Кешбэк 796 баллов
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    1 230Кешбэк 184 балла
    AFT05MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
    6 494Кешбэк 974 балла
    AFT18S230SR3Транзистор: FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6
    21 389Кешбэк 3 208 баллов
    MRF6S18060NR1Транзистор: FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4
    14 047Кешбэк 2 107 баллов
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 033Кешбэк 604 балла
    AFT20S015GNR1Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
    9 582Кешбэк 1 437 баллов
    MRF8S21100HSR3Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
    21 324Кешбэк 3 198 баллов
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 622Кешбэк 543 балла
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    4 209Кешбэк 631 балл
    AFT20S015NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    6 193Кешбэк 928 баллов
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    4 211Кешбэк 631 балл
    MRF6VP2600HR5Транзистор: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
    66 001Кешбэк 9 900 баллов
    MRFE6VP5600HR6Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    60 310Кешбэк 9 046 баллов
    MRFE6VP6600NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V OM780-4
    32 105Кешбэк 4 815 баллов
    MRF6V12500HR5Транзистор: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
    175 238Кешбэк 26 285 баллов
    AFT18P350-4S2LR6Транзистор: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
    51 562Кешбэк 7 734 балла
    MMRF1023HSR5Транзистор: FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
    6 699Кешбэк 1 004 балла
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    31 673Кешбэк 4 750 баллов
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    98 640Кешбэк 14 796 баллов
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    72 752Кешбэк 10 912 баллов
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    239 492Кешбэк 35 923 балла
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    155 981Кешбэк 23 397 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП