Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLM8D1822S-50PBY
BLM8D1822S-50PBY

BLM8D1822S-50PBY

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM8D1822S-50PBY
  • Описание:
    RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPFВсе характеристики

Минимальная цена BLM8D1822S-50PBY при покупке от 1 шт 9302.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM8D1822S-50PBY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLM8D1822S-50PBY

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
    Тип транзистора LDMOS
  • Частота
    1.805GHz ~ 2.17GHz
    Частота 1.805GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    26dB
    Усиление 26dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
    Тестовое напряжение 28 V
  • Current Rating (Amps)
    1.4µA
    Current Rating (Amps) 1.4µA
  • Тестовый ток
    104 mA
    Тестовый ток 104 mA
  • Мощность передачи
    5W
    Мощность передачи 5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
    Нормальное напряжение 65 V
  • Корпус
    SOT-1211-3
    Корпус SOT-1211-3
  • Исполнение корпуса
    16-HSOPF
    Исполнение корпуса 16-HSOPF
  • Base Product Number
    BLM8
    Base Product Number BLM8
Техническая документация
 BLM8D1822S-50PBY.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 53 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 302 ₽
  • 10
    8 150 ₽
  • 25
    7 752 ₽
  • 100
    7 329 ₽
  • 200
    7 012 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM8D1822S-50PBY
  • Описание:
    RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPFВсе характеристики

Минимальная цена BLM8D1822S-50PBY при покупке от 1 шт 9302.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM8D1822S-50PBY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLM8D1822S-50PBY

  • Package
    Cut Tape (CT)
    Package Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
    Package Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
    Тип транзистора LDMOS
  • Частота
    1.805GHz ~ 2.17GHz
    Частота 1.805GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    26dB
    Усиление 26dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
    Тестовое напряжение 28 V
  • Current Rating (Amps)
    1.4µA
    Current Rating (Amps) 1.4µA
  • Тестовый ток
    104 mA
    Тестовый ток 104 mA
  • Мощность передачи
    5W
    Мощность передачи 5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
    Нормальное напряжение 65 V
  • Корпус
    SOT-1211-3
    Корпус SOT-1211-3
  • Исполнение корпуса
    16-HSOPF
    Исполнение корпуса 16-HSOPF
  • Base Product Number
    BLM8
    Base Product Number BLM8
Техническая документация
 BLM8D1822S-50PBY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLP05H6350XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    CGHV1J006D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    PH3830DLS115Транзистор: N-CH TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
    TM-30Конденсатор: TM-30 - 30W BROADBAND RF POWER G
    MRF1K50HR5Транзистор: HIGH POWER RF TRANSISTOR
    BLC9G20LS-150PVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V SOT12753
    BLP05H6150XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    NTE221Транзистор: MOSFET N-CH VHF AMP/MIX
    BLC9G15LS-400AVTYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583
    CE3512K2Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    BLP9H10-30GZТранзистор: BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
    CGH60030D-GP4RF MOSFET HEMT 28V DIE
    BLA1011-2Транзистор: OXIDE SEMICONDUCTOR FET
    BLM7G1822S-80PBYRF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122
    GTRA262802FC-V2-R0Транзистор: 280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
    BLC10G22XS-301AVTZТранзистор: BLC10G22XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP
    BLP05H6110XRGYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242
    CPH3313-TL-EPCH 2.5V DRIVE SERIES
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    AFM906NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10.8V 16DFN

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП