Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLM8G0710S-15PBGY
BLM8G0710S-15PBGY

BLM8G0710S-15PBGY

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM8G0710S-15PBGY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122Все характеристики

Минимальная цена BLM8G0710S-15PBGY при покупке от 1 шт 8733.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM8G0710S-15PBGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLM8G0710S-15PBGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    957.5MHz
  • Усиление
    36.1dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    1.5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1212-3
  • Исполнение корпуса
    16-HSOP
  • Base Product Number
    BLM8
Техническая документация
 BLM8G0710S-15PBGY.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 90 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 733 ₽
  • 10
    7 647 ₽
  • 25
    7 270 ₽
  • 100
    6 755 ₽
  • 200
    6 520 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM8G0710S-15PBGY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122Все характеристики

Минимальная цена BLM8G0710S-15PBGY при покупке от 1 шт 8733.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM8G0710S-15PBGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLM8G0710S-15PBGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    957.5MHz
  • Усиление
    36.1dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    1.5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1212-3
  • Исполнение корпуса
    16-HSOP
  • Base Product Number
    BLM8
Техническая документация
 BLM8G0710S-15PBGY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2N5247Транзистор: JFET N-CH 30V TO92
    50Кешбэк 7 баллов
    BLF8G38LS-75VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B
    14 125Кешбэк 2 118 баллов
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    51Кешбэк 7 баллов
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    180 726Кешбэк 27 108 баллов
    BLL8H1214L-250UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
    64 527Кешбэк 9 679 баллов
    AFT09MS007NT1Транзистор: FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
    833Кешбэк 124 балла
    BLF882SUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B
    27 541Кешбэк 4 131 балл
    MRF6S27085HR5Транзистор: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    17 366Кешбэк 2 604 балла
    VRF141Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174
    13 569Кешбэк 2 035 баллов
    MRF8P20165WHSR5Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
    23 337Кешбэк 3 500 баллов
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    30 110Кешбэк 4 516 баллов
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    384Кешбэк 57 баллов
    BLP15M7160PYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232
    18 033Кешбэк 2 704 балла
    MRF8HP21130HR5Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    14 224Кешбэк 2 133 балла
    BLP05H635XRYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
    7 978Кешбэк 1 196 баллов
    VRF2944Транзистор: MOSF RF N CH 170V 50A M177
    38 336Кешбэк 5 750 баллов
    BLL8H0514LS-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
    24 625Кешбэк 3 693 балла
    MRFE6VP5600HR6Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    162 009Кешбэк 24 301 балл
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    15 756Кешбэк 2 363 балла
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    89Кешбэк 13 баллов
    BLF174XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 28DB SOT1214A
    36 389Кешбэк 5 458 баллов
    CGHV40050FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    67 801Кешбэк 10 170 баллов
    MRF6S27085HR3Транзистор: RF S BAND, N-CHANNEL
    17 366Кешбэк 2 604 балла
    BLF2324M8LS200PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
    23 136Кешбэк 3 470 баллов
    BLF7G10LS-250,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
    21 394Кешбэк 3 209 баллов
    MRF8P23080HSR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    11 965Кешбэк 1 794 балла
    MMRF1310HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780
    97 851Кешбэк 14 677 баллов
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    15 756Кешбэк 2 363 балла
    MRF6S27050HR5Транзистор: RF 2.62GHZ, NI-780, MOSFET
    11 111Кешбэк 1 666 баллов
    BLF8G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    15 756Кешбэк 2 363 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП