Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLM8G0710S-15PBGY
  • В избранное
  • В сравнение
BLM8G0710S-15PBGY

BLM8G0710S-15PBGY

BLM8G0710S-15PBGY
;
BLM8G0710S-15PBGY

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM8G0710S-15PBGY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122Все характеристики

Минимальная цена BLM8G0710S-15PBGY при покупке от 1 шт 8352.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM8G0710S-15PBGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM8G0710S-15PBGY

BLM8G0710S-15PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V

  • Основные параметры:
    • Питание: 65В
    • Уровень выходной мощности: 36.1 дБм
    • Форм-фактор: SOT1212
    • Тип: RF FET LDMOS
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Низкое энергетическое потребление
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы
    • Нуждается в эффективном охлаждении
  • Общее назначение:
    • Используется в системах радиосвязи
    • Радиостанции
    • Мобильные сети
    • Коммуникационное оборудование
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные телефоны
    • Датчики и системы мониторинга
    • Трансляторы сигнала
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLM8G0710S-15PBGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    957.5MHz
  • Усиление
    36.1dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    1.5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1212-3
  • Исполнение корпуса
    16-HSOP
  • Base Product Number
    BLM8

Техническая документация

 BLM8G0710S-15PBGY.pdf
pdf. 0 kb
  • 90 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 352 ₽
  • 10
    7 312 ₽
  • 25
    6 953 ₽
  • 100
    6 460 ₽
  • 200
    6 235 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM8G0710S-15PBGY
  • Описание:
    RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122Все характеристики

Минимальная цена BLM8G0710S-15PBGY при покупке от 1 шт 8352.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM8G0710S-15PBGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLM8G0710S-15PBGY

BLM8G0710S-15PBGY Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V

  • Основные параметры:
    • Питание: 65В
    • Уровень выходной мощности: 36.1 дБм
    • Форм-фактор: SOT1212
    • Тип: RF FET LDMOS
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Стабильная работа при высоких температурах
    • Низкое энергетическое потребление
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы
    • Нуждается в эффективном охлаждении
  • Общее назначение:
    • Используется в системах радиосвязи
    • Радиостанции
    • Мобильные сети
    • Коммуникационное оборудование
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные телефоны
    • Датчики и системы мониторинга
    • Трансляторы сигнала
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLM8G0710S-15PBGY

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    957.5MHz
  • Усиление
    36.1dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Мощность передачи
    1.5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1212-3
  • Исполнение корпуса
    16-HSOP
  • Base Product Number
    BLM8

Техническая документация

 BLM8G0710S-15PBGY.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    51Кешбэк 7 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    102Кешбэк 15 баллов
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    31.5Кешбэк 4 балла
    MMBF5486Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    28Кешбэк 4 балла
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    28Кешбэк 4 балла
    MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
    23.5Кешбэк 3 балла
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    28Кешбэк 4 балла
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 201Кешбэк 180 баллов
    BLC9G20LS-361AVTYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    14 729Кешбэк 2 209 баллов
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLF8G10LS-160,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
    13 969Кешбэк 2 095 баллов
    BLP35M805ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
    2 990Кешбэк 448 баллов
    BLC8G27LS-100AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    13 080Кешбэк 1 962 балла
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    17 580Кешбэк 2 637 баллов
    BLF8G27LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    15 068Кешбэк 2 260 баллов
    BLF7G10LS-250,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
    19 522Кешбэк 2 928 баллов
    BLF7G20LS-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
    15 060Кешбэк 2 259 баллов
    BLC9G20LS-361AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    12 843Кешбэк 1 926 баллов
    BLF878,112Транзистор: RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A
    42 122Кешбэк 6 318 баллов
    BLF8G10LS-300PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    19 894Кешбэк 2 984 балла
    BLF8G09LS-400PWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    BLF7G24LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    14 467Кешбэк 2 170 баллов
    BLF8G24LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
    14 453Кешбэк 2 167 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    60 979Кешбэк 9 146 баллов
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    BLF184XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B
    44 445Кешбэк 6 666 баллов
    BLS6G2735L-30,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A
    44 193Кешбэк 6 628 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП