Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLM9D1822-30BZ
BLM9D1822-30BZ

BLM9D1822-30BZ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM9D1822-30BZ
  • Описание:
    BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDPВсе характеристики

Минимальная цена BLM9D1822-30BZ при покупке от 1 шт 5643.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM9D1822-30BZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLM9D1822-30BZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.8GHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    29.3dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    1.4µA
  • Тестовый ток
    110 mA
  • Мощность передачи
    45.9dBm
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    20-QFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    20-PQFN (8x8)
  • Base Product Number
    BLM9
Техническая документация
 BLM9D1822-30BZ.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 861 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 643 ₽
  • 10
    4 558 ₽
  • 25
    4 287 ₽
  • 100
    4 218 ₽
  • 500
    3 446 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLM9D1822-30BZ
  • Описание:
    BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDPВсе характеристики

Минимальная цена BLM9D1822-30BZ при покупке от 1 шт 5643.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLM9D1822-30BZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLM9D1822-30BZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.8GHz ~ 2.2GHz
  • Усиление
    29.3dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    1.4µA
  • Тестовый ток
    110 mA
  • Мощность передачи
    45.9dBm
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    20-QFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    20-PQFN (8x8)
  • Base Product Number
    BLM9
Техническая документация
 BLM9D1822-30BZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3718-T1-AТранзистор: N-CHANNEL J-FET
    46.5Кешбэк 6 баллов
    IRF225N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    480Кешбэк 72 балла
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    23.2Кешбэк 3 балла
    MRF1K50NR5Транзистор: WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
    64 127Кешбэк 9 619 баллов
    CPH5821-TL-EPCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    60Кешбэк 9 баллов
    CPH6332-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    77Кешбэк 11 баллов
    BFL4037-SNCH 10V DRIVE SERIES
    138Кешбэк 20 баллов
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    409Кешбэк 61 балл
    MWT-PH8FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    21 983Кешбэк 3 297 баллов
    BLP15H9S10ZТранзистор: BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    4 281Кешбэк 642 балла
    MTP27N06LТранзистор: NFET T0220 100V 0.07R
    103Кешбэк 15 баллов
    2SK4101FS-V-HNCH 10V DRIVE SERIES
    355Кешбэк 53 балла
    2SJ281-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    77Кешбэк 11 баллов
    MRF13750HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    195 234Кешбэк 29 285 баллов
    STB4N80ET4Диод: NFET D2PAK SPCL 800V TR
    262Кешбэк 39 баллов
    BLP5LA55SZТранзистор: BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
    4 923Кешбэк 738 баллов
    J211-D74ZJFET N-CH 25V 20MA TO92
    54Кешбэк 8 баллов
    CGHV1J006D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    14 857Кешбэк 2 228 баллов
    CPH6320-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    68Кешбэк 10 баллов
    CGHV1J070D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    95 051Кешбэк 14 257 баллов
    BTS132E3129NKSA1BTS132 - N-CHANNEL TEMPFET
    893Кешбэк 133 балла
    MRFX1K80NR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L
    62 202Кешбэк 9 330 баллов
    MRF101BNТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3
    18 027Кешбэк 2 704 балла
    2SK4087LS-MG5NCH 10V DRIVE SERIES
    616Кешбэк 92 балла
    EC4404C-TLNCH 1.5V DRIVE SERIES
    19.4Кешбэк 2 балла
    EC4303C-TLPCH 4V DRIVE SERIES
    13.6Кешбэк 2 балла
    2SK2552-T1-ASMALL SIGNAL FET
    43Кешбэк 6 баллов
    CGH31240FТранзистор: 240W GAN HEMT 28V 2.7-3.1GHZ FET
    158 946Кешбэк 23 841 балл
    MRFX1K80HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S
    232 181Кешбэк 34 827 баллов
    CPH3325-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    33Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП