Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLP0427M9S20Z
  • В избранное
  • В сравнение
BLP0427M9S20Z

BLP0427M9S20Z

BLP0427M9S20Z
;
BLP0427M9S20Z

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLP0427M9S20Z
  • Описание:
    Транзистор: BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDPВсе характеристики

Минимальная цена BLP0427M9S20Z при покупке от 1 шт 4876.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLP0427M9S20Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLP0427M9S20Z

BLP0427M9S20Z — это транзистор из семейства мощных полупроводниковых устройств, выпущенный компанией Ampleon USA Inc. Он используется для усиления сигналов в радиосистемах.

  • Основные параметры:
    • Максимальная выходная мощность: 20 W
    • Номинальное напряжение питания: 36 V
    • Тип корпуса: SOT1482
    • Формат упаковки: REELDP (роликовый контейнер)
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Длительный срок службы
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов в радиосистемах
    • Радиоэлектронное оборудование
    • Мобильные радиостанции
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные радиостанции
    • Аналоговые и цифровые телевизионные передатчики
    • Системы спутникового телевидения
    • Маршрутизаторы и другие устройства беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLP0427M9S20Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    400MHz ~ 2.7GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    1.4µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    20W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1482-1
  • Исполнение корпуса
    SOT-1482-1
  • Base Product Number
    BLP0427

Техническая документация

 BLP0427M9S20Z.pdf
pdf. 0 kb
  • 563 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 876 ₽
  • 10
    3 926 ₽
  • 25
    3 688 ₽
  • 100
    3 611 ₽
  • 500
    3 228 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLP0427M9S20Z
  • Описание:
    Транзистор: BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDPВсе характеристики

Минимальная цена BLP0427M9S20Z при покупке от 1 шт 4876.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLP0427M9S20Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLP0427M9S20Z

BLP0427M9S20Z — это транзистор из семейства мощных полупроводниковых устройств, выпущенный компанией Ampleon USA Inc. Он используется для усиления сигналов в радиосистемах.

  • Основные параметры:
    • Максимальная выходная мощность: 20 W
    • Номинальное напряжение питания: 36 V
    • Тип корпуса: SOT1482
    • Формат упаковки: REELDP (роликовый контейнер)
  • Плюсы:
    • Высокая выходная мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Длительный срок службы
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов в радиосистемах
    • Радиоэлектронное оборудование
    • Мобильные радиостанции
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные радиостанции
    • Аналоговые и цифровые телевизионные передатчики
    • Системы спутникового телевидения
    • Маршрутизаторы и другие устройства беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики BLP0427M9S20Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    400MHz ~ 2.7GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    1.4µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    20W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1482-1
  • Исполнение корпуса
    SOT-1482-1
  • Base Product Number
    BLP0427

Техническая документация

 BLP0427M9S20Z.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF24301HSR5Транзистор: 250W AF17 2450MHZ NI780
    20 437Кешбэк 3 065 баллов
    MRFX1K80HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S
    70 718Кешбэк 10 607 баллов
    MRF1K50NR5Транзистор: WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
    65 588Кешбэк 9 838 баллов
    MRF13750HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    65 777Кешбэк 9 866 баллов
    IRFAE32Транзистор: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    1 012Кешбэк 151 балл
    IRF225N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    459Кешбэк 68 баллов
    94-2402Транзистор: IRF530 - 400V HEXFET, N-CHANNEL
    465Кешбэк 69 баллов
    CE3514M4-C2Транзистор: RF MOSFET PHEMT FET 2V
    239Кешбэк 35 баллов
    CE3512K2-C1Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    309Кешбэк 46 баллов
    CE3520K3-C1Транзистор: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
    422Кешбэк 63 балла
    CE3512K2Транзистор: RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
    400Кешбэк 60 баллов
    CE3514M4Транзистор: RF FET 4V 12GHZ SOT343
    513Кешбэк 76 баллов
    CE3521M4Транзистор: RF FET 4V 20GHZ SOT343
    643Кешбэк 96 баллов
    CGHV27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
    15 071Кешбэк 2 260 баллов
    CGHV27015SТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
    10 216Кешбэк 1 532 балла
    PTVA120251EA-V2-R250Транзистор: IC AMP RF LDMOS
    9 867Кешбэк 1 480 баллов
    CG2H40025FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    35 932Кешбэк 5 389 баллов
    PTMA180402M-V1-R500Транзистор: 40W, SI LDMOS IC , 28V, 1800-210
    11 003Кешбэк 1 650 баллов
    CG2H40035FТранзистор: GAN HEMT FET 28V 35W DC-4.0GHZ
    51 815Кешбэк 7 772 балла
    GTVA311801FA-V1-R250Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    69 713Кешбэк 10 456 баллов
    CG2H40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    18 695Кешбэк 2 804 балла
    CGHV31500FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    257 648Кешбэк 38 647 баллов
    PTVA101K02EV-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36275-4
    152 654Кешбэк 22 898 баллов
    CG2H40045FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    63 369Кешбэк 9 505 баллов
    PTVA123501FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-2
    65 838Кешбэк 9 875 баллов
    GTVA101K42EV-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
    375 059Кешбэк 56 258 баллов
    CG2H80060D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    27 840Кешбэк 4 176 баллов
    CGH27015FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    24 077Кешбэк 3 611 баллов
    CGH55030F1Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    43 571Кешбэк 6 535 баллов
    CGH27060FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    61 929Кешбэк 9 289 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП