Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLP35M805Z
BLP35M805Z

BLP35M805Z

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLP35M805Z
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFNВсе характеристики

Минимальная цена BLP35M805Z при покупке от 50 шт 3088.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLP35M805Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLP35M805Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.14GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    55 mA
  • Мощность передачи
    750mW
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    16-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    16-HVSON (6x4)
  • Base Product Number
    BLP35
Техническая документация
 BLP35M805Z.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2880 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 50
    3 088 ₽

Минимально и кратно 50 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLP35M805Z
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFNВсе характеристики

Минимальная цена BLP35M805Z при покупке от 50 шт 3088.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLP35M805Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLP35M805Z

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.14GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    55 mA
  • Мощность передачи
    750mW
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    16-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    16-HVSON (6x4)
  • Base Product Number
    BLP35
Техническая документация
 BLP35M805Z.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF174Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    BLF574XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    BLF2425M7LS250P,11Транзистор
    ARF463AGТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    BLF10M6200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    BLC8G27LS-100AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    BLL6H0514L-130,112Транзистор
    BLF7G20LS-140P,112RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    BLF888AS,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
    SD57045-01Транзистор: FET RF 65V 945MHZ M250
    BF1100WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R
    AFT20S015GNR1Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ TO270-2G
    2SK209-Y(TE85L,F)MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
    SD4931Транзистор: TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M174
    ATF-36163-BLKGТранзистор: FET RF 3V 4GHZ SOT-363
    NE3521M04-T2-AТранзистор: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    MRF6S27085HR5Транзистор: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    BLL8H0514L-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
    MRF6S19100NBR1Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    BLP35M805ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    BLF7G10L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    ARF461AGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    MMRF1014NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    SD2932WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП