Вход/Регистрация
MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
BLP8G10S-45PGY
BLP8G10S-45PGY
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLP8G10S-45PGY
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOPВсе характеристики
Минимальная цена BLP8G10S-45PGY при покупке от 10 шт 5653.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLP8G10S-45PGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 150 шт3-6 недель
Минимально и кратно 10 шт
- КоличествоЦена
- 105 653 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLP8G10S-45PGY
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOPВсе характеристики
Минимальная цена BLP8G10S-45PGY при покупке от 10 шт 5653.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLP8G10S-45PGY с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание BLP8G10S-45PGY
BLP8G10S-45PGY Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
- Основные параметры:
- Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 65В
- Уровень выходной мощности: 20.8 дБм
- Форм-фактор: 4BESOP (четырехполюсная схема обертки)
- Плюсы:
- Высокая мощность
- Высокая эффективность
- Устойчивость к шумам
- Простота в использовании
- Минусы:
- Высокие требования к охлаждению
- Сложный выбор и настройка параметров работы
- Общее назначение:
- Использование в радиочастотных (RF) приложениях
- Аmplification и усилительные стадии телекоммуникационных систем
- Радиоэлектронные системы и оборудование
- В каких устройствах применяется:
- Телевизионные трансляционные станции
- Системы мобильной связи
- Радиорелays и системы связи
- Системы спутниковой связи
- Радарные системы
Выбрано: Показать
Характеристики BLP8G10S-45PGY
Техническая документация
BLP8G10S-45PGY.pdf pdf. 0 kb
Минимально и кратно 10 шт