Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLS6G2731-120,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLS6G2731-120,112

BLS6G2731-120,112

BLS6G2731-120,112
;
BLS6G2731-120,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731-120,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLS6G2731-120,112 при покупке от 1 шт 55288.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731-120,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS6G2731-120,112

BLS6G2731-120,112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A

  • Основные параметры:
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Напряжение блокировки: 60В
    • Удельная мощность: 13.5dB
    • Форм-фактор: SOT502A
  • Плюсы:
    • Высокая удельная мощность
    • Стабильная работа на высоких частотах
    • Малый размер и легкий вес
    • Прочность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специализированного оборудования для монтажа и тестирования
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах для передачи и приема сигналов
    • Радиостанции и системы спутниковой связи
    • Системы мобильной связи
    • Аппаратура для медицинских и научных исследований
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные телефоны и базовые станции
    • Датчики и системы контроля качества
    • Медицинские приборы
Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731-120,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
  • Base Product Number
    BLS6

Техническая документация

 BLS6G2731-120,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 58 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    55 288 ₽
  • 20
    46 155 ₽
  • 40
    44 930 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731-120,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLS6G2731-120,112 при покупке от 1 шт 55288.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731-120,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS6G2731-120,112

BLS6G2731-120,112 Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A

  • Основные параметры:
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Напряжение блокировки: 60В
    • Удельная мощность: 13.5dB
    • Форм-фактор: SOT502A
  • Плюсы:
    • Высокая удельная мощность
    • Стабильная работа на высоких частотах
    • Малый размер и легкий вес
    • Прочность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специализированного оборудования для монтажа и тестирования
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах для передачи и приема сигналов
    • Радиостанции и системы спутниковой связи
    • Системы мобильной связи
    • Аппаратура для медицинских и научных исследований
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные телефоны и базовые станции
    • Датчики и системы контроля качества
    • Медицинские приборы
Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731-120,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
  • Base Product Number
    BLS6

Техническая документация

 BLS6G2731-120,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SD2931-11WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
    15 526Кешбэк 2 328 баллов
    SD2942WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M244
    34 266Кешбэк 5 139 баллов
    PD55003-EТранзистор: FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    1 638Кешбэк 245 баллов
    SD2943WТранзистор: TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177
    29 016Кешбэк 4 352 балла
    VRF2933Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177
    30 332Кешбэк 4 549 баллов
    ARF463AP1GТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    8 280Кешбэк 1 242 балла
    VRF151Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    12 896Кешбэк 1 934 балла
    ARF460BGТранзистор: FET RF N-CH 500V 14A TO247
    10 419Кешбэк 1 562 балла
    VRF2944Транзистор: MOSF RF N CH 170V 50A M177
    31 872Кешбэк 4 780 баллов
    ARF461AGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    10 890Кешбэк 1 633 балла
    VRF150Транзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    12 593Кешбэк 1 888 баллов
    ARF1501Транзистор: MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1
    59 861Кешбэк 8 979 баллов
    ARF463BP1GТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    8 280Кешбэк 1 242 балла
    ARF460AGТранзистор: FET RF N-CH 500V 14A TO247
    10 419Кешбэк 1 562 балла
    ARF465BGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    11 368Кешбэк 1 705 баллов
    VRF151GТранзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
    32 103Кешбэк 4 815 баллов
    ARF465AGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    11 368Кешбэк 1 705 баллов
    ARF461BGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    10 890Кешбэк 1 633 балла
    VRF141Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174
    12 880Кешбэк 1 932 балла
    ARF476FLТранзистор: RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR
    29 126Кешбэк 4 368 баллов
    ARF475FLТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 10A
    27 659Кешбэк 4 148 баллов
    VRF154FLТранзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
    79 438Кешбэк 11 915 баллов
    VRF152Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    19 341Кешбэк 2 901 балл
    ARF463AGТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    7 617Кешбэк 1 142 балла
    ARF1500Транзистор: MOSFET RF N-CH 500V 60A T1
    57 145Кешбэк 8 571 балл
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    544Кешбэк 81 балл
    2SK209-BL(TE85L,F)Транзистор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    114Кешбэк 17 баллов
    2SK209-Y(TE85L,F)MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
    114Кешбэк 17 баллов
    RFM01U7P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    640Кешбэк 96 баллов
    RFM04U6P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    684Кешбэк 102 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП