Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLS6G2731S-120,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112
;
BLS6G2731S-120,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731S-120,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLS6G2731S-120,112 при покупке от 1 шт 40870.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731S-120,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112 — это транзистор RF FET LDMOS (Лювоксоструйный полупроводниковый транзистор) с напряжением выдержки 60В и мощностью 13.5dB. Маркировка SOT502B указывает на тип корпуса.

  • Основные параметры:
    • Напряжение выдержки: 60В
    • Мощность: 13.5dB
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Корпус: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Высокая мощность передачи
    • Долгий срок службы благодаря прочному корпусу
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для установки и ремонта из-за корпуса SOT502B
    • Высокие требования к термостатированию из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах, таких как базовые станции мобильной связи, телевизионные передатчики, спутниковые системы и другие системы передачи радиосигналов
  • Применяется в:
    • Базовых станциях сотовой связи
    • Спутниковых телевизионных передатчиках
    • Радиолокационных системах
    • Передающих устройствах для медицинских систем
Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731S-120,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLS6

Техническая документация

 BLS6G2731S-120,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    40 870 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731S-120,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLS6G2731S-120,112 при покупке от 1 шт 40870.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731S-120,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112 — это транзистор RF FET LDMOS (Лювоксоструйный полупроводниковый транзистор) с напряжением выдержки 60В и мощностью 13.5dB. Маркировка SOT502B указывает на тип корпуса.

  • Основные параметры:
    • Напряжение выдержки: 60В
    • Мощность: 13.5dB
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Корпус: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Высокая мощность передачи
    • Долгий срок службы благодаря прочному корпусу
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для установки и ремонта из-за корпуса SOT502B
    • Высокие требования к термостатированию из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах, таких как базовые станции мобильной связи, телевизионные передатчики, спутниковые системы и другие системы передачи радиосигналов
  • Применяется в:
    • Базовых станциях сотовой связи
    • Спутниковых телевизионных передатчиках
    • Радиолокационных системах
    • Передающих устройствах для медицинских систем
Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731S-120,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLS6

Техническая документация

 BLS6G2731S-120,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    28Кешбэк 4 балла
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    31.5Кешбэк 4 балла
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    51Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ309LT1GТранзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    MMBF5486Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    MMBFJ309Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23-3
    80Кешбэк 12 баллов
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    89Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    100Кешбэк 15 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    102Кешбэк 15 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 201Кешбэк 180 баллов
    BLP35M805ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
    2 990Кешбэк 448 баллов
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    3 431Кешбэк 514 баллов
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    5 219Кешбэк 782 балла
    BLP8G10S-45PGYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
    6 551Кешбэк 982 балла
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 292Кешбэк 1 093 балла
    BLF6G27-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    7 318Кешбэк 1 097 баллов
    BLP05H635XRYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
    7 629Кешбэк 1 144 балла
    BLC8G27LS-60AVYТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    7 803Кешбэк 1 170 баллов
    BLC8G27LS-60AVZТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    7 803Кешбэк 1 170 баллов
    BLM7G1822S-40PBGYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
    7 878Кешбэк 1 181 балл
    BLM7G1822S-40PBYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12111
    7 878Кешбэк 1 181 балл
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 352Кешбэк 1 252 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП