Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLS6G2731S-120,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112
;
BLS6G2731S-120,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731S-120,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLS6G2731S-120,112 при покупке от 1 шт 44472.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731S-120,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112 — это транзистор RF FET LDMOS (Лювоксоструйный полупроводниковый транзистор) с напряжением выдержки 60В и мощностью 13.5dB. Маркировка SOT502B указывает на тип корпуса.

  • Основные параметры:
    • Напряжение выдержки: 60В
    • Мощность: 13.5dB
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Корпус: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Высокая мощность передачи
    • Долгий срок службы благодаря прочному корпусу
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для установки и ремонта из-за корпуса SOT502B
    • Высокие требования к термостатированию из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах, таких как базовые станции мобильной связи, телевизионные передатчики, спутниковые системы и другие системы передачи радиосигналов
  • Применяется в:
    • Базовых станциях сотовой связи
    • Спутниковых телевизионных передатчиках
    • Радиолокационных системах
    • Передающих устройствах для медицинских систем
Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731S-120,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLS6

Техническая документация

 BLS6G2731S-120,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    44 472 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731S-120,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLS6G2731S-120,112 при покупке от 1 шт 44472.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731S-120,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112 — это транзистор RF FET LDMOS (Лювоксоструйный полупроводниковый транзистор) с напряжением выдержки 60В и мощностью 13.5dB. Маркировка SOT502B указывает на тип корпуса.

  • Основные параметры:
    • Напряжение выдержки: 60В
    • Мощность: 13.5dB
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Корпус: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Высокая мощность передачи
    • Долгий срок службы благодаря прочному корпусу
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для установки и ремонта из-за корпуса SOT502B
    • Высокие требования к термостатированию из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах, таких как базовые станции мобильной связи, телевизионные передатчики, спутниковые системы и другие системы передачи радиосигналов
  • Применяется в:
    • Базовых станциях сотовой связи
    • Спутниковых телевизионных передатчиках
    • Радиолокационных системах
    • Передающих устройствах для медицинских систем
Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731S-120,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLS6

Техническая документация

 BLS6G2731S-120,112.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF881S,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST
    40 728Кешбэк 6 109 баллов
    BLF10H6600PSUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    41 063Кешбэк 6 159 баллов
    BLS6G2731S-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B
    44 472Кешбэк 6 670 баллов
    BLF184XRUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A
    44 512Кешбэк 6 676 баллов
    BLF878,112Транзистор: RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A
    45 835Кешбэк 6 875 баллов
    BLS6G2735L-30,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A
    48 089Кешбэк 7 213 баллов
    BLF879P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    48 222Кешбэк 7 233 балла
    BLF184XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B
    48 363Кешбэк 7 254 балла
    BLL6H0514L-130,112Транзистор
    48 794Кешбэк 7 319 баллов
    BLF574XR,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A
    51 117Кешбэк 7 667 баллов
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    51 957Кешбэк 7 793 балла
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    52 687Кешбэк 7 903 балла
    BLF6G13LS-250PGJТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E
    59 477Кешбэк 8 921 балл
    BLF888AS,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
    59 713Кешбэк 8 956 баллов
    BLS6G2731-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
    60 612Кешбэк 9 091 балл
    BLF888,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A
    60 821Кешбэк 9 123 балла
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    63 033Кешбэк 9 454 балла
    BLL6H1214LS-250,11Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
    64 245Кешбэк 9 636 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    66 353Кешбэк 9 952 балла
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    68 153Кешбэк 10 222 балла
    BLL8H0514-25UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
    68 992Кешбэк 10 348 баллов
    BLA6G1011-200R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    73 998Кешбэк 11 099 баллов
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    75 645Кешбэк 11 346 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    86 910Кешбэк 13 036 баллов
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    99 173Кешбэк 14 875 баллов
    BLA8G1011LS-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    99 173Кешбэк 14 875 баллов
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    132 166Кешбэк 19 824 балла
    BLA6H0912-500,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
    174 548Кешбэк 26 182 балла
    BLS7G3135L-350P,11Транзистор
    178 602Кешбэк 26 790 баллов
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    178 602Кешбэк 26 790 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП