Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLS6G2731S-120,112
  • В избранное
  • В сравнение
BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112
;
BLS6G2731S-120,112

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731S-120,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLS6G2731S-120,112 при покупке от 1 шт 44472.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731S-120,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112 — это транзистор RF FET LDMOS (Лювоксоструйный полупроводниковый транзистор) с напряжением выдержки 60В и мощностью 13.5dB. Маркировка SOT502B указывает на тип корпуса.

  • Основные параметры:
    • Напряжение выдержки: 60В
    • Мощность: 13.5dB
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Корпус: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Высокая мощность передачи
    • Долгий срок службы благодаря прочному корпусу
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для установки и ремонта из-за корпуса SOT502B
    • Высокие требования к термостатированию из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах, таких как базовые станции мобильной связи, телевизионные передатчики, спутниковые системы и другие системы передачи радиосигналов
  • Применяется в:
    • Базовых станциях сотовой связи
    • Спутниковых телевизионных передатчиках
    • Радиолокационных системах
    • Передающих устройствах для медицинских систем
Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731S-120,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLS6

Техническая документация

 BLS6G2731S-120,112.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    44 472 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS6G2731S-120,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLS6G2731S-120,112 при покупке от 1 шт 44472.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS6G2731S-120,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112 — это транзистор RF FET LDMOS (Лювоксоструйный полупроводниковый транзистор) с напряжением выдержки 60В и мощностью 13.5dB. Маркировка SOT502B указывает на тип корпуса.

  • Основные параметры:
    • Напряжение выдержки: 60В
    • Мощность: 13.5dB
    • Тип: RF FET LDMOS
    • Корпус: SOT502B
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Высокая мощность передачи
    • Долгий срок службы благодаря прочному корпусу
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального оборудования для установки и ремонта из-за корпуса SOT502B
    • Высокие требования к термостатированию из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в радиоэлектронных устройствах, таких как базовые станции мобильной связи, телевизионные передатчики, спутниковые системы и другие системы передачи радиосигналов
  • Применяется в:
    • Базовых станциях сотовой связи
    • Спутниковых телевизионных передатчиках
    • Радиолокационных системах
    • Передающих устройствах для медицинских систем
Выбрано: Показать

Характеристики BLS6G2731S-120,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.7GHz ~ 3.1GHz
  • Усиление
    13.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Current Rating (Amps)
    33A
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    120W
  • Нормальное напряжение
    60 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLS6

Техническая документация

 BLS6G2731S-120,112.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF7G27L-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
    15 479Кешбэк 2 321 балл
    BLF8G24LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
    15 726Кешбэк 2 358 баллов
    BLF8G27LS-150GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    15 726Кешбэк 2 358 баллов
    BLF8G27LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    15 726Кешбэк 2 358 баллов
    BLF8G24LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
    15 726Кешбэк 2 358 баллов
    BLF7G24LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 743Кешбэк 2 361 балл
    BLF7G27LS-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121B
    16 095Кешбэк 2 414 баллов
    BLF8G10LS-270,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    16 355Кешбэк 2 453 балла
    BLF7G20LS-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
    16 388Кешбэк 2 458 баллов
    BLF8G27LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF8G22LS-205VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
    16 396Кешбэк 2 459 баллов
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    17 418Кешбэк 2 612 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    18 244Кешбэк 2 736 баллов
    BLF8G09LS-400PWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G09LS-400PWUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PVUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF8G20LS-400PGVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C
    18 351Кешбэк 2 752 балла
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    18 482Кешбэк 2 772 балла
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    18 575Кешбэк 2 786 баллов
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    19 129Кешбэк 2 869 баллов
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    19 174Кешбэк 2 876 баллов
    BLF6G10LS-200RN:11RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B
    19 535Кешбэк 2 930 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП