Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
BLS7G2325L-105,112
BLS7G2325L-105,112

BLS7G2325L-105,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS7G2325L-105,112
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLS7G2325L-105,112 при покупке от 5 шт 52338.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS7G2325L-105,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS7G2325L-105,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.3GHz ~ 2.5GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
  • Current Rating (Amps)
    5µA
  • Мощность передачи
    110W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
  • Base Product Number
    BLS7
Техническая документация
 BLS7G2325L-105,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 370 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 5
    52 338 ₽

Минимально и кратно 5 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS7G2325L-105,112
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS 10V SOT502AВсе характеристики

Минимальная цена BLS7G2325L-105,112 при покупке от 5 шт 52338.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS7G2325L-105,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS7G2325L-105,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.3GHz ~ 2.5GHz
  • Усиление
    18dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
  • Current Rating (Amps)
    5µA
  • Мощность передачи
    110W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502A
  • Исполнение корпуса
    SOT502A
  • Base Product Number
    BLS7
Техническая документация
 BLS7G2325L-105,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ART1K6FHUТранзистор: ART1K6FH/SOT539/TRAY
    CGH60008D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    WP4806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 48V DC ~ 6GHZ, 25W
    TAV-581+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    CPH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    FW4604-TL-2WXТранзистор: NCH+PCH 4.5V DRIVE SERIES
    STB4N80ET4Диод: NFET D2PAK SPCL 800V TR
    GTRA362802FC-V1-R0Транзистор: 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    MCH6415-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    ART2K0FEUТранзистор: ART2K0FE/SOT539/TRAY
    BLC10G22XS-400AVTZТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
    NE3503M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    MCH6408-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    C4H27W400AVYТранзистор: C4H27W400AVY/SOT1275/REELD
    2SK3819-DL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    A2V09H400-04NR3Транзистор: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
    BLF888ESUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B
    MRFX1K80GNR5Транзистор: 600MHZ 1.8KW OM1230G-4L
    CPH6413-TL-ENCH 2.5V DRIVE SERIES
    CGHV1J025D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V DIE
    CE3520K3-C1Транзистор: RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
    2SK3092-TL-ENCH 15V DRIVE SERIES
    UPA608T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    CPH5805-TL-ENCH+SBD 4V DRIVE SERIES
    CE3514M4Транзистор: RF FET 4V 12GHZ SOT343
    CGHV50200FТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 440217
    CPH5846-TL-EPCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    CGH27030S-AMP1Транзистор: AMPLIFIER, 1.8-2.2GHZ, CGH27030S
    MRFX1K80NR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L
    PTFC210202FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-4

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП